本发明涉及半导体技术领域，具体为一种半导体用晶圆qdr槽。
背景技术：
半导体ic制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺离子注入、扩散、外延生长及光刻为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成，因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作，干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质，ic制程中需要一些有机物和无机物参与完成，另外，制作过程总是在人的参与下在净化室中进行，这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生，根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物；
现有技术领域内，晶圆清洗采用类似于授权公告号为cn104658947b的公开了一种晶圆清洗装置，包括：清洗槽；所述清洗槽设有容腔；晶圆支撑装置；所述晶圆支撑装置设置在所述容腔内，用于支撑晶圆；喷头；所述喷头可朝向晶圆喷射液体或气体地设置，但晶圆表面暴露在空气中会接触空气中的氧分子或水汽，在常温下会生长氧化层，对晶圆清洗质量有很大影响，不利于去离子水带走晶圆表面上的微粒杂质，并且装置直接暴露在空气中容易附着空气中的灰尘或颗粒，进而影响晶圆加工质量。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种半导体用晶圆qdr槽，以至少解决现有技术的晶圆表面暴露在空气中会接触空气中的氧分子或水汽，在常温下会生长氧化层，对晶圆清洗质量有很大影响，不利于去离子水带走晶圆表面上的微粒杂质，并且装置直接暴露在空气中容易附着空气中的灰尘或颗粒，进而影响晶圆加工质量的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体用晶圆qdr槽，包括：
壳体，所述壳体的内腔被隔板分隔为左右两侧；
密封机构，设置在所述壳体的顶端；
清洗机构，设置在所述壳体的内腔左侧；
水箱，设置在所述壳体的内腔右侧前端；
水泵，设置在所述水箱的顶端，所述水泵的进水管延伸进水箱(6)的内腔；
氮气鼓泡装置，设置在所述壳体的内腔右侧后端；
控制器，安装在所述壳体的顶端前侧，所述控制器分别与水泵和氮气鼓泡装置电性连接。
优选的，所述密封机构包括；密封机构壳体、安装槽、密封板、链轮、链条、连接杆、限位槽块、移动密封板、第一电机、第一锥形齿轮和第二锥形齿轮；密封机构壳体设置在所述壳体的顶端；安装槽开设在所述密封机构壳体的顶端左侧，所述安装槽的内腔与壳体的内腔左侧相通；所述密封板的数量为两个，两个所述密封板分别设置在安装槽的内腔底端前后两侧；所述链轮的数量为两个，两个所述链轮分别设置通过销轴转动连接在密封机构壳体的内腔右侧前后两端；链条内侧前后两端分别啮合在前后两个链轮的外壁；所述连接杆的数量为两个，两个所述连接杆分别设置在链条的外壁左右两侧，所述连接杆的形状为l形且连接杆的左端延伸进安装槽的内腔；限位槽块沿前后方向设置在所述密封机构壳体的内腔顶端左侧，所述连接杆的外壁与限位槽块的内腔适配插接；所述移动密封板的数量为两个，两个所述移动密封板分别设置在前后两个连接杆的左侧；第一电机设置在所述密封机构壳体的内腔左侧前端，所述第一电机和控制器电性连接；第一锥形齿轮螺钉连接在所述第一电机的输出端；第二锥形齿轮螺钉连接在位于所述密封机构壳体内腔前侧链轮的低端，所述第二锥形齿轮与第一锥形齿轮相啮合。
优选的，所述清洗机构包括；喷淋槽、喷淋组件、喷头组件、溢流槽、废液收集池、第一电动伸缩杆、密封板、底板、匀流板和排水孔；喷淋槽设置在所述壳体的内腔左侧安装槽的内腔底端中心位置；所述喷淋组件的数量为两个，两个所述喷淋组件分别设置在喷淋槽的内腔前后两侧顶端；所述喷头组件的数量为两个，两个所述喷头组件分别设置在喷淋槽的内腔前后两侧底端；所述溢流槽的数量为两个，两个所述溢流槽分别沿左右方向内嵌在喷淋槽的内腔前后两侧顶端开口处；废液收集池套接在所述喷淋槽的外壁底端，所述喷淋槽与废液收集池的内腔顶端通过支架固定连接；第一电动伸缩杆沿上下方向设置在废液收集池的内腔底端中心位置，所述第一电动伸缩杆和控制器电性连接；密封板设置在所述第一电动伸缩杆的顶端；底板设置在所述喷淋槽的内腔底端开口处；匀流板设置在所述喷淋槽的内腔底端且位于底板的上方；排水孔开设在所述底板的顶端中心位置，所述排水孔的内腔与密封板相适配。
优选的，所述喷淋组件包括；喷淋组件外壳、转轴、蜗轮、第二电机和多线蜗杆；喷淋组件外壳安装在所述喷淋槽的内壁顶端；转轴通过轴承转动连接在所述喷淋组件外壳的右侧，所述轴承的内环与转轴的外壁过盈配合，且轴承的外环与喷淋组件外壳的内壁固定连接，所述转轴的左侧延伸进喷淋组件外壳的内腔；蜗轮螺钉连接在所述转轴的左端；第二电机设置在所述喷淋组件外壳的内腔底端，所述第二电机和控制器电性连接；多线蜗杆螺接在所述第二电机的外壁，所述多线蜗杆和蜗轮相啮合。
优选的，所述喷淋组件还包括；固定座、diw喷淋管和旋转接头；所述固定座的数量为两个，两个所述固定座分别安装在喷淋槽的内壁顶端左右两侧；diw喷淋管沿左右方向插接在左右两个固定座的内侧，所述diw喷淋管的左侧与转轴的右端固定连接；旋转接头设置在所述diw喷淋管的内腔右侧，所述旋转接头的内腔右侧螺接有导管的一端，且导管的另一端延伸进壳体的内腔右侧并与水泵的出水口相螺接。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：该半导体用晶圆qdr槽：
1、通过水泵将水箱内去离子水沿导管泵入至diw喷淋管形成相互交叉喷淋，前后两个喷淋组件内的第二电机驱动对应位置上的多线蜗杆顺时针或逆时针方向转动，促使蜗轮在多线蜗杆旋转力的作用下驱动转轴带动diw喷淋管顺时针或逆时针方向转动，以避免diw喷淋管内部喷出的去离子水直接喷淋冲洗晶圆表面，喷淋槽内腔去离子水逐渐升高对自身内部晶圆片进行冲洗。
2、通过氮气鼓泡装置内部纯净氮气由喷头管进入喷淋槽内，进而增加晶圆在喷淋槽内去离子水流中颤动，提高了冲洗效果，第二电动伸缩杆通过自身间歇性伸长缩短以带动连接座带动喷头管在喷淋槽内腔下方前后往复运动，提高氮气鼓泡效果
3、通过第一电动伸缩杆缩短使其带动密封板向下移动停止对排水孔的密封，喷淋槽内去离子水穿过匀流板并由排水孔进入至废液收集池内排出，第一电机驱动第一锥形齿轮转动，进而使第二锥形齿轮在第一锥形齿轮的作用下驱动前侧链轮转动，进而使链条带动左右两侧的连接杆驱动对应位置上的移动密封板向内侧移动以将安装槽内腔密封，防止外部灰尘进入；
从而可实现晶圆快速冲洗快速排出，提高晶圆清洗效率同时，避免晶圆表面与空气中的氧分子或水汽长时间接触生成氧化层，并且可在未清洗时对装置进行密封，防止外部灰尘进入附着在清洗装置内部，进而影响晶圆清洗和加工质量。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为图1的爆炸图；
图3为图1的密封机构爆炸图；
图4为图1的清洗机构爆炸图；
图5为图4的喷淋组件爆炸图；
图6为图4的喷头组件爆炸图。
图中：1、壳体，2、密封机构，21、密封机构壳体，22、安装槽，23、密封板，24、链轮，25、链条，26、连接杆，27、限位槽块，28、移动密封板，29、第一电机，210、第一锥形齿轮，211、第二锥形齿轮，3、清洗机构，31、喷淋槽，32、溢流槽，33、废液收集池，34、第一电动伸缩杆，35、密封板，36、底板，37、匀流板，38、排水孔，4、喷淋组件，41、喷淋组件外壳，42、转轴，43、蜗轮，44、第二电机，45、多线蜗杆，46、固定座，47、diw喷淋管，48、旋转接头，5、喷头组件，51、安装座，52、第二电动伸缩杆，53、连接座，54、喷头管，55、限位插槽块，56、插杆，6、水箱，7、水泵，8、氮气鼓泡装置，9、控制器。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-6，本发明提供一种技术方案：一种半导体用晶圆qdr槽，包括：壳体1、密封机构2、清洗机构3、水箱6、水泵7、氮气鼓泡装置8和控制器9；壳体1的内腔被隔板分隔为左右两侧；密封机构2设置在壳体1的顶端；清洗机构3设置在壳体1的内腔左侧；水箱6设置在壳体1的内腔右侧前端，水箱6的内壁密封性良好，水箱6的前侧设置有延伸出壳体1外壁的进水阀管可向内部注入去离子水；水泵7设置在水箱6的顶端，水泵7的进水管延伸进水箱6的内腔，水泵7具体使用型号根据实际使用要求直接从市场上购买安装并使用的，水泵7可由控制器9进行控制将水箱6内去离子水沿导管泵入至diw喷淋管47内；氮气鼓泡装置8设置在壳体1的内腔右侧后端，氮气鼓泡装置8具体使用型号根据实际使用要求直接从市场上购买安装并使用的，氮气鼓泡装置8可由控制器9进行控制将内部纯净氮气沿导管进入至喷头管54；控制器9安装在壳体1的顶端前侧，控制器9分别与水泵7和氮气鼓泡装置8电性连接，控制器9具体使用型号根据实际使用要求直接从市场上购买安装并使用的。
作为优选方案，更进一步的，密封机构2包括；密封机构壳体21、安装槽22、密封板23、链轮24、链条25、连接杆26、限位槽块27、移动密封板28、第一电机29、第一锥形齿轮210和第二锥形齿轮211；密封机构壳体21设置在壳体1的顶端；安装槽22开设在密封机构壳体21的顶端左侧，安装槽22的内腔与壳体1的内腔左侧相通；密封板23的数量为两个，两个密封板23分别设置在安装槽22的内腔底端前后两侧；链轮24的数量为两个，两个链轮24分别设置通过销轴转动连接在密封机构壳体21的内腔右侧前后两端；链条25内侧前后两端分别啮合在前后两个链轮24的外壁，后侧链轮24起到对链条25的张紧限位作用；连接杆26的数量为两个，两个连接杆26分别设置在链条25的外壁左右两侧，连接杆26的形状为l形且连接杆26的左端延伸进安装槽22的内腔；限位槽块27沿前后方向设置在密封机构壳体21的内腔顶端左侧，连接杆26的外壁与限位槽块27的内腔适配插接，连接杆26可在限位槽块27的内腔前后移动；移动密封板28的数量为两个，两个移动密封板28分别设置在前后两个连接杆26的左侧；第一电机29设置在密封机构壳体21的内腔左侧前端，第一电机29和控制器9电性连接，第一电机29具体使用型号根据实际使用要求直接从市场上购买安装并使用的，第一电机29可由控制器9进行控制驱动第一锥形齿轮210逆时针或顺时针方向转动；第一锥形齿轮210螺钉连接在第一电机29的输出端；第二锥形齿轮211螺钉连接在位于密封机构壳体21内腔前侧链轮24的低端，第二锥形齿轮211与第一锥形齿轮210相啮合，第二锥形齿轮211可在第一锥形齿轮210的作用下驱动前侧链轮24顺时针或逆时针方向转动。
作为优选方案，更进一步的，清洗机构3包括；喷淋槽31、喷淋组件4、喷头组件5、溢流槽32、废液收集池33、第一电动伸缩杆34、密封板35、底板36、匀流板37和排水孔38；喷淋槽31设置在壳体1的内腔左侧安装槽22的内腔底端中心位置；喷淋组件4的数量为两个，两个喷淋组件4分别设置在喷淋槽31的内腔前后两侧顶端；喷头组件5的数量为两个，两个喷头组件5分别设置在喷淋槽31的内腔前后两侧底端；溢流槽32的数量为两个，两个溢流槽32分别沿左右方向内嵌在喷淋槽31的内腔前后两侧顶端开口处；废液收集池33套接在喷淋槽31的外壁底端，喷淋槽31与废液收集池33的内腔顶端通过支架固定连接；第一电动伸缩杆34沿上下方向设置在废液收集池33的内腔底端中心位置，第一电动伸缩杆34和控制器9电性连接，第一电动伸缩杆34具体使用型号根据实际使用要求直接从市场上购买安装并使用的，第一电动伸缩杆34可由控制器9进行控制通过自身伸长缩短带动密封板35向上或向下移动，第一电动伸缩杆34为防水材质制成；密封板35设置在第一电动伸缩杆34的顶端；底板36设置在喷淋槽31的内腔底端开口处；匀流板37设置在喷淋槽31的内腔底端且位于底板36的上方，匀流板37起到加速排水的作用防止排水过程中产生涡流，通过增加排水流速，有利于去离子水带走晶圆表面上的微粒杂质；排水孔38开设在底板36的顶端中心位置，排水孔38的内腔与密封板35相适配，密封板35可将排水孔38的内腔的内腔密封。
作为优选方案，更进一步的，喷淋组件4包括；喷淋组件外壳41、转轴42、蜗轮43、第二电机44和多线蜗杆45；喷淋组件外壳41安装在喷淋槽31的内壁顶端；转轴42通过轴承转动连接在喷淋组件外壳41的右侧，轴承的内环与转轴42的外壁过盈配合，且轴承的外环与喷淋组件外壳41的内壁固定连接，转轴42的左侧延伸进喷淋组件外壳41的内腔；蜗轮43螺钉连接在转轴42的左端；第二电机44设置在喷淋组件外壳41的内腔底端，第二电机44和控制器9电性连接，第二电机44具体使用型号根据实际使用要求直接从市场上购买安装并使用的，前后两个喷淋组件4内的第二电机44可由控制器9进行控制驱动对应位置上的多线蜗杆45顺时针或逆时针方向转动；多线蜗杆45螺接在第二电机44的外壁，多线蜗杆45和蜗轮43相啮合，蜗轮43可在多线蜗杆45旋转力的作用下驱动转轴42顺时针或逆时针方向转动。
作为优选方案，更进一步的，喷淋组件4还包括；固定座46、diw喷淋管47和旋转接头48；固定座46的数量为两个，两个固定座46分别安装在喷淋槽31的内壁顶端左右两侧；diw喷淋管47沿左右方向插接在左右两个固定座46的内侧，diw喷淋管47的左侧与转轴42的右端固定连接，工作人员预先调整diw喷淋管47冲洗水压、水量、方向和角度作出调整测试和记录，以达到不同大小和数量晶圆冲的最佳效果和喷淋范围，使其涵盖全部晶圆及片盒，防止喷淋冲洗存在死角地带；旋转接头48设置在diw喷淋管47的内腔右侧，旋转接头48的内腔右侧螺接有导管的一端，且导管的另一端延伸进壳体1的内腔右侧并与水泵7的出水口相螺接，旋转接头48可避免diw喷淋管47转动过程中带动导管转动。
作为优选方案，更进一步的，喷头组件5包括；安装座51、第二电动伸缩杆52、连接座53、喷头管54、限位插槽块55和插杆56；安装座51内嵌在喷淋槽31的内壁底端开口处；第二电动伸缩杆52设置在安装座51的外侧中心位置，第二电动伸缩杆52和控制器9电性连接，第二电动伸缩杆52的内侧延伸进安装座51的内侧，第二电动伸缩杆52具体使用型号根据实际使用要求直接从市场上购买安装并使用的，第二电动伸缩杆52可由控制器9进行控制通过自身间歇性伸长缩短以带动连接座53前后往复运动；连接座53设置在第二电动伸缩杆52的内侧；喷头管54沿左右方向设置在连接座53的内侧，喷头管54的右侧螺接有导管的一端，且导管的另一端延伸进壳体1的内腔右侧并与氮气鼓泡装置8的出气口相螺接，喷头管54内的氮气向上溢出成气泡，以增加了去离子水的冲刷力，并可对槽体本身有很好的自清洗作用；限位插槽块55的数量为两个，两个限位插槽块55分别内嵌在安装座51的左右两侧，限位插槽块55的内外两侧分别延伸出连接座53的外壁；插杆56的数量为两个，两个插杆56分别插接在左右两个限位插槽块55的内侧，插杆56的内侧与连接座53的外侧固定连接，插杆56可在限位插槽块55的内腔向内侧或向外侧移动。
通过本领域人员，可将本案中所有电气件与外部适配的电源通过导线进行连接，并且应该根据具体实际使用情况，选择相适配的外部控制器进行连接，以满足对所有电器件的控制需求，其具体连接方式以及控制顺序，应参考下述工作原理中，各电气件之间先后工作顺序完成电性连接，其详细连接手段，为本领域公知技术，不在进行说明，下述主要介绍工作原理以及过程，具体工作如下。
步骤1：使用时，工作人员预先向水箱6内注入去离子水，外部机械臂将晶圆穿过安装槽22进入至喷淋槽31内腔，工作人员并控制控制器9启动水泵7，水泵7将水箱6内去离子水沿导管泵入至diw喷淋管47内，前后两个diw喷淋管47形成相互交叉喷淋，使用者控制控制器9依次启动前后两个喷淋组件4内的第二电机44，前后两个喷淋组件4内的第二电机44驱动对应位置上的多线蜗杆45顺时针或逆时针方向转动，由于蜗轮43和多线蜗杆45啮合，促使蜗轮43在多线蜗杆45旋转力的作用下驱动转轴42顺时针或逆时针方向转动，进而在固定座46的限位作用下，转轴42带动diw喷淋管47顺时针或逆时针方向转动，以避免diw喷淋管47内部喷出的去离子水直接喷淋冲洗晶圆表面，防止产生微粒污泥而污染晶圆表面，使喷淋槽31内腔去离子水逐渐升高后由溢流槽32溢出至废液收集池33内腔，促使喷淋槽31内晶圆片缝隙、边角的去离子水都能连续得到更新，提高冲洗效果。
步骤2：对晶圆清洗同时，工作人员控制控制器9启动氮气鼓泡装置8，氮气鼓泡装置8内部纯净氮气沿导管进入至喷头管54，并由喷头管54进入喷淋槽31内，进而增加晶圆在喷淋槽31内去离子水流中颤动，提高了冲洗效果，并减少去离子水中的含氧量，避免在晶圆表面生成氧化物，工作人员控制控制器9依次启动前后两个喷头组件5内的第二电动伸缩杆52，第二电动伸缩杆52通过自身间歇性伸长缩短以带动连接座53前后往复运动，并在插杆56的限位作用下，使连接座53带动喷头管54在喷淋槽31内腔下方前后往复运动，提高氮气鼓泡效果
步骤3：使用完毕后，工作人员控制控制器9关闭水泵7使其停止向喷淋槽31内注入去离子水，并控制控制器9驱动第一电动伸缩杆34缩短使其带动密封板35向下移动，进而使密封板35从排水孔38内腔移出停止对其的密封，喷淋槽31内腔去离子水穿过匀流板37并由排水孔38进入至废液收集池33内排出，外部机械臂将晶圆移出喷淋槽31内，工作人员控制喷淋槽9启动第一电机29,第一电机29驱动第一锥形齿轮210逆时针方向转动，进而使第二锥形齿轮211在第一锥形齿轮210的作用下驱动前侧链轮24顺时针方向转动，进而使链条25在后侧链轮24的张紧限位作用下，前侧链轮24驱动链条25顺时针方向转动，进而使链条25带动左右两侧的连接杆26均向内侧移动，进而在限位槽块27的限位作用下，促使左右两个连接杆26驱动对应位置上的移动密封板28向内侧移动以将安装槽22内腔密封，防止外部灰尘进入；
从而可实现晶圆快速冲洗快速排出，提高晶圆清洗效率同时，避免晶圆表面与空气中的氧分子或水汽长时间接触生成氧化层，并且可在未清洗时对装置进行密封，防止外部灰尘进入附着在清洗装置内部，进而影响晶圆清洗和加工质量。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
技术特征：
1.一种半导体用晶圆qdr槽，其特征在于，包括：
壳体(1)，所述壳体(1)的内腔被隔板分隔为左右两侧；
密封机构(2)，设置在所述壳体(1)的顶端；
清洗机构(3)，设置在所述壳体(1)的内腔左侧；
水箱(6)，设置在所述壳体(1)的内腔右侧前端；
水泵(7)，设置在所述水箱(6)的顶端，所述水泵(7)的进水管延伸进水箱(6)的内腔；
氮气鼓泡装置(8)，设置在所述壳体(1)的内腔右侧后端；
控制器(9)，安装在所述壳体(1)的顶端前侧，所述控制器(9)分别与水泵(7)和氮气鼓泡装置(8)电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种半导体用晶圆qdr槽，其特征在于：所述密封机构(2)包括；
密封机构壳体(21)，设置在所述壳体(1)的顶端；
安装槽(22)，开设在所述密封机构壳体(21)的顶端左侧，所述安装槽(22)的内腔与壳体(1)的内腔左侧相通；
密封板(23)，所述密封板(23)的数量为两个，两个所述密封板(23)分别设置在安装槽(22)的内腔底端前后两侧；
链轮(24)，所述链轮(24)的数量为两个，两个所述链轮(24)分别设置通过销轴转动连接在密封机构壳体(21)的内腔右侧前后两端；
链条(25)，内侧前后两端分别啮合在前后两个链轮(24)的外壁；
连接杆(26)，所述连接杆(26)的数量为两个，两个所述连接杆(26)分别设置在链条(25)的外壁左右两侧，所述连接杆(26)的形状为l形且连接杆(26)的左端延伸进安装槽(22)的内腔；
限位槽块(27)，沿前后方向设置在所述密封机构壳体(21)的内腔顶端左侧，所述连接杆(26)的外壁与限位槽块(27)的内腔适配插接；
移动密封板(28)，所述移动密封板(28)的数量为两个，两个所述移动密封板(28)分别设置在前后两个连接杆(26)的左侧；
第一电机(29)，设置在所述密封机构壳体(21)的内腔左侧前端，所述第一电机(29)和控制器(9)电性连接；
第一锥形齿轮(210)，螺钉连接在所述第一电机(29)的输出端；
第二锥形齿轮(211)，螺钉连接在位于所述密封机构壳体(21)内腔前侧链轮(24)的低端，所述第二锥形齿轮(211)与第一锥形齿轮(210)相啮合。
3.根据权利要求1所述的一种半导体用晶圆qdr槽，其特征在于：所述清洗机构(3)包括；
喷淋槽(31)，设置在所述壳体(1)的内腔左侧安装槽(22)的内腔底端中心位置；
喷淋组件(4)，所述喷淋组件(4)的数量为两个，两个所述喷淋组件(4)分别设置在喷淋槽(31)的内腔前后两侧顶端；
喷头组件(5)，所述喷头组件(5)的数量为两个，两个所述喷头组件(5)分别设置在喷淋槽(31)的内腔前后两侧底端；
溢流槽(32)，所述溢流槽(32)的数量为两个，两个所述溢流槽(32)分别沿左右方向内嵌在喷淋槽(31)的内腔前后两侧顶端开口处；
废液收集池(33)，套接在所述喷淋槽(31)的外壁底端，所述喷淋槽(31)与废液收集池(33)的内腔顶端通过支架固定连接；
第一电动伸缩杆(34)，沿上下方向设置在废液收集池(33)的内腔底端中心位置，所述第一电动伸缩杆(34)和控制器(9)电性连接；
密封板(35)，设置在所述第一电动伸缩杆(34)的顶端；
底板(36)，设置在所述喷淋槽(31)的内腔底端开口处；
匀流板(37)，设置在所述喷淋槽(31)的内腔底端且位于底板(36)的上方；
排水孔(38)，开设在所述底板(36)的顶端中心位置，所述排水孔(38)的内腔与密封板(35)相适配。
4.根据权利要求3所述的一种半导体用晶圆qdr槽，其特征在于：所述喷淋组件(4)包括；
喷淋组件外壳(41)，安装在所述喷淋槽(31)的内壁顶端；
转轴(42)，通过轴承转动连接在所述喷淋组件外壳(41)的右侧，所述轴承的内环与转轴(42)的外壁过盈配合，且轴承的外环与喷淋组件外壳(41)的内壁固定连接，所述转轴(42)的左侧延伸进喷淋组件外壳(41)的内腔；
蜗轮(43)，螺钉连接在所述转轴(42)的左端；
第二电机(44)，设置在所述喷淋组件外壳(41)的内腔底端，所述第二电机(44)和控制器(9)电性连接；
多线蜗杆(45)，螺接在所述第二电机(44)的外壁，所述多线蜗杆(45)和蜗轮(43)相啮合。
5.根据权利要求4所述的一种半导体用晶圆qdr槽，其特征在于：所述喷淋组件(4)还包括；
固定座(46)，所述固定座(46)的数量为两个，两个所述固定座(46)分别安装在喷淋槽(31)的内壁顶端左右两侧；
diw喷淋管(47)，沿左右方向插接在左右两个固定座(46)的内侧，所述diw喷淋管(47)的左侧与转轴(42)的右端固定连接；
旋转接头(48)，设置在所述diw喷淋管(47)的内腔右侧，所述旋转接头(48)的内腔右侧螺接有导管的一端，且导管的另一端延伸进壳体(1)的内腔右侧并与水泵(7)的出水口相螺接。
技术总结
本发明公开了一种半导体用晶圆QDR槽，包括：壳体、密封机构、清洗机构、水箱、水泵、氮气鼓泡装置和控制器；所述壳体的内腔被隔板分隔为左右两侧；密封机构设置在所述壳体的顶端；清洗机构设置在所述壳体的内腔左侧；水箱设置在所述壳体的内腔右侧前端；水泵设置在所述水箱的顶端，所述水泵的进水管延伸进水箱的内腔；氮气鼓泡装置设置在所述壳体的内腔右侧后端；控制器安装在所述壳体的顶端前侧。该半导体用晶圆QDR槽，可实现晶圆快速冲洗快速排出，提高晶圆清洗效率同时，避免晶圆表面与空气中的氧分子或水汽长时间接触生成氧化层，并且可在未清洗时对装置进行密封，防止外部灰尘进入附着在清洗装置内部，进而影响晶圆清洗和加工质量。
技术开发人、权利持有人：不公告发明人
