本发明涉及含硅废水处理技术领域，具体涉及一种含硅废水的电絮凝除硅工艺及系统。
背景技术：
随着国家环保政策的日渐严苛，工厂污水零排放已成为必然之趋，而零排放工艺则必然会配套中水回用系统，中水回用实际上就是利用膜分离技术进行废水的有害物质与水的分离，膜分离又分物理膜和离子膜，但不管哪类膜，对进水的水质比如电导率，cod等都有一些硬性的指标范围，如超出很容易造成膜的堵损，严重时致使中水回用系统全线瘫痪，本文主要针对一些煤化工厂，硅系列生产企业以及布染厂等，由于生产原料或生产辅料中含有硅元素，在污水的处理过程中，由于执行的是零排放标准，这些硅离子便在系统中不断累积，累积到一定程度，就开始影响到后期膜的运行，且不说硅的排放超标，其在污水中的含量高于200mg/l时，其形成的粘稠状胶体便成为超滤、反渗透膜等的超级杀手，为使膜系统能正常运行，同时为使水能达标排放(一般回用水80％-90％)，很多企业都采用电絮凝来去除污水中的硅，用电絮凝除硅的工艺在除硅的效果上是非常有效的，但在使用的过程中都遇到了一致命瓶颈—电极板结垢。当结垢到一定程度时(可严重到将阴阳极连接到一起)，电解电压升高、电流完全没有输出，如无特殊处理的话，一般从装机运行到15个工作日便无法工作，也就是说硅的污染又会继续，污水的中水回用无法进行，污水排放亦无法达标，污水站无法运行就意味着生产车间无法正常生产，因此企业都在寻求能切实解决硅离子污染的方法，或能切实把电絮凝运行起来的有效办法、措施。
技术实现要素：
为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种含硅废水的电絮凝除硅工艺，该处理工艺操作简单，在处理过程中不需要添加化学药剂，避免二次污染环境，除硅处理率高达99％以上，可适用于大规模处理。
本发明的目的在于提供一种含硅废水的电絮凝除硅系统该除硅处理系统结构新颖，操作简单，提高了原水处理的资源再利用率，很好的解决了电极板结垢的问题，同时避免没了环境的二次污染，除硅处理率高达99％以上，实用性高。
本发明的目的通过下述技术方案实现：一种含硅废水的电絮凝除硅工艺，包括如下步骤：
1)将含硅原水收集至原水收集池中，再将原水收集池中含硅原水泵入软化装置中先去除硬度，确保含硅原水的硬度不高于100mg/l；
2)将步骤1)中经过除硬度的水体再送入电絮凝装置中进行电解处理，然后将电解处理后的水体送入沉淀池中静置分层；电解处理时的电压为22-26v，电流密度在55-65a/m2，电解处理时间为20-40min；
3)将步骤2)中经过沉淀池沉降分层后的下层沉淀排出，再将经过沉淀池沉降分层后的上层清液送入中间水池进行二次沉降；
4)将步骤3)中经过中间水池二次沉降后的上清液送入多介质过滤器中进行过滤，最后将经过过滤后的滤液进行脱盐处理后回收再利用。
本发明中的含硅废水的电絮凝除硅工艺操作简单，在处理过程中不需要添加化学药剂，避免二次污染环境，除硅处理率高达99％以上，可适用于大规模处理。其中在步骤1)中进入电絮凝装置的水，需要先进行软化处理，要求碱度≦100mg/l，以达到为了防止电极板结垢，而采用电絮凝除硅时利用可溶性阳极铁素体等，通以直流电后，极失去电子，形成金属阳离子，经一系列水解、聚合及氧化过程形成一种高活性的絮凝和络合基团，其吸附能力极强，使水中的钙镁离子、硅及悬浮杂质凝聚沉淀分离，同时，带电的污染物颗粒在电场中泳动，其部分电荷被电极中和而促使其脱稳聚沉；而在电解处理时采用电压为22-26v，电流为5000-6000a，电流密度在55-65a/m2，电解处理时间为20-40min，能将附着在极板上还不是很密实钙镁等氢氧化物在阳极溶解时脱落，并随液体进入下一级的混凝沉淀中开路去除，很好的解决了极板结垢的问题，同时避免没了环境的二次污染。
本发明的另一目的通过下述技术方案实现：一种含硅废水的电絮凝除硅系统，用于实施上述含硅废水的电絮凝除硅工艺的处理系统，按照处理使用顺序包括依次连通的原水收集池、电絮凝装置、沉淀池、中间水池、多介质过滤器和脱盐处理槽，所述电絮凝装置包括槽体、整流机、气液混合装置、若干隔板、若干电极板和若干导线，所述隔板竖直设置于所述槽体内并将槽体内分割成多个电极反应区，所述电极板竖直设置于所述电极反应区内，所述气液混合装置出口设置于所述槽体内的底部并均匀分布于所述电极反应区内，所述整流机设置于所述槽体的一侧，所述电极板均通过导线与所述整流机连通，所述气液混合装置设置于所述槽体和原水收集池中间管道上；更进一步的，在电极区布置强曝气系统，所述强曝气系统采用穿孔的曝气管。
本发明的含硅废水的电絮凝除硅系统，在使用过程中可将含硅原水集中收集，之后利用泵输送至电絮凝装置中进行电解处理，电解处理后的水体则流至沉淀池中，自然状态下静置，使得在沉淀池的底部形成沉淀物，将静置沉淀处理后的上层清液输送至中间水池进行二次沉降，进过二次沉降后的上清液送入多介质过滤器进行过滤，滤液经脱盐处理槽脱盐处理后回收再利用，提高了原水处理的资源再利用率；此外，打开沉淀池底部的污泥出料口，下层的沉淀物则通过该污泥出料口排出，进行压滤等后处理，再将压滤后的泥饼委外处理，实现污泥废物的有效处理，避免对环境的污染。其中，水体在电絮凝装置处理时通过整流机控制电解极板的电压和电流，进而控制整个电解处理过程，同时加装的气液混合装置能使槽内液体迅速动起来，在电极区布置强曝气系统，便于阳极区生成的硅氧化物迅速扩散，不在电极区累积，促使离极板较远的硅离子迅速补充到电极板周围，或者使产生的铁(铝)离子快速扩散到更远处与硅离子形成共聚体，以能在较短停留时间内有效将硅离子降至设计范围，在此同时铝或铁的局部饱和结晶情况也得到了解决；另外此措施还能使形成的钙镁等氢氧化物附着在电极板上的几率降低，适当的气搅还能对已附着的物质形成冲刷，使其脱落，操作方便，易于控制，提高了电解处理效率和效果。
优选的，所述电絮凝装置还包括设置于所述槽体内底部的布水槽；所述隔板的上端设有贯穿隔板的溢流口。所述电絮凝装置设有四个所述电极反应区，每个电极反应区水体的流向为上进下出，且出水段设置有布水流道，所述布水流道与所述布水槽连通。
本发明中相邻两个电极反应区上一级电极反应区内的液体经隔板上端的溢流口溢流然后引流至下部的布水槽内从下往上流出，然后再从另一隔板上端的溢流口溢流槽引流至下一级电极反应区内，可显著提高电絮凝装置电解反应效能，防止水流短路造成出水不达标的问题，同时把电极反应区设置为四级折流形式可确保水从每个电极板区间内流过，提升电絮凝效果。
优选的，多个所述电极板均匀设置于所述槽体内，每相邻两个所述电极板之间的板间距为5-6cm。
本发明中需严格控制相邻两个电极板之间的板间距为5-6cm，有利于溶液的流动循环，可以解决以往电极板间距太小，电极板间容易填满电解后的氢氧化铝沉淀物附着在电极板周边，严重时会造成短路的问题。
优选的，所述电极板采用铝板或铁板，所述电极板包括正极板和负极板，所述正极板和负极板自动切换的时间间隔为≤5min。
本发明中为避免电极板的钝化以及防止结垢，在电絮凝装置中设置自动切换正负电极换向的时间间隔≤5min，可有效解决的以往电极板结垢的现象。
优选的，所述气液混合装置采用气液混合泵，液气比为1-2:9。
本发明中需要严格控制气液混合装置的气量为0.14-0.18m3/min，气压为0.18-0.22mpa，能很好的使槽体内液体迅速动起来，促使离极板较远的硅离子迅速补充到电极板周围，或者使产生的铁(铝)离子快速扩散到更远处与硅离子形成共聚体，能在较短停留时间内有效将硅离子降至设计范围，同时，铝或铁的局部饱和结晶情况也得到了解决，另外，还能使形成的钙镁等氢氧化物附着在电极板上的几率降低，适当的气搅还能对已附着的物质形成冲刷，使其脱落。
优选的，四个所述电极反应区采用降流形式，相邻两个电极反应区的水位降低8-12cm，对应的每个电极反应区的布水槽同时降低8-12cm。
本发明中为了保证每个电极反应区停留时间相同，而将四个电极反应区设计为降流形式，每级电极反应区的水位降低8-12cm，电极反应区下部的布水区(布水槽)同时降低8-12cm，并控制电极板反应时间相同，从而保证了电解的高效性。
本发明的有益效果在于：本发明含硅废水的电絮凝除硅工艺操作简单，在处理过程中不需要添加化学药剂，避免二次污染环境，除硅处理率高达99％以上，可适用于大规模处理。
本发明的含硅废水的电絮凝除硅系统结构新颖，操作简单，提高了原水处理的资源再利用率，很好的解决了电极板结垢的问题，同时避免了环境的二次污染，除硅处理率高达99％以上，实用性高。
附图说明
图1是本发明的电絮凝除硅系统的结构示意图；
图2是本发明的电絮凝装置的俯视图；
图3是本发明的电絮凝装置的分解示意图；
图4是本发明的电絮凝装置的剖面图。
附图标记为：1-原水收集池、2-电絮凝装置、21-槽体、22-整流机、23-气液混合装置、24-曝气管、25-隔板、251-溢流口、26-电极板、27-导线、28-布水槽、3-沉淀池、4-中间水池、5-多介质过滤器、6-脱盐处理槽和7-软化装置。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例及附图1-4对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。
实施例1
1)将含硅原水收集至原水收集池1中，再将原水收集池1中含硅原水泵入软化装置7中先去除硬度，确保含硅原水的硬度不高于100mg/l；
2)将步骤1)中经过除硬度的水体再送入电絮凝装置2中进行电解处理，然后将电解处理后的水体送入沉淀池3中静置分层；电解处理时的电压为22v，电流密度在55a/m2，电解处理时间为20min；
3)将步骤2)中经过沉淀池3沉降分层后的下层沉淀排出，再将经过沉淀池3沉降分层后的上层清液送入中间水池4进行二次沉降；
4)将步骤3)中经过中间水池4二次沉降后的上清液送入多介质过滤器5中进行过滤，最后将经过过滤后的滤液进行脱盐处理后回收再利用。
见图1-4，一种含硅废水的电絮凝除硅系统，用于实施上述含硅废水的电絮凝除硅工艺的处理系统，按照处理使用顺序包括依次连通的原水收集池1、电絮凝装置2、沉淀池3、中间水池4、多介质过滤器5和脱盐处理槽5，所述电絮凝装置2包括槽体21、整流机22、气液混合装置23、曝气管24、若干隔板25、若干电极板26和若干导线27，所述隔板25竖直设置于所述槽体21内并将槽体21内分割成多个电极反应区，所述电极板26竖直设置于所述电极反应区内，所述气液混合装置23出口设置于所述槽体21内的底部并均匀分布于所述电极反应区内，所述整流机22设置于所述槽体21的一侧，所述电极板26均通过导线27与所述整流机22连通，所述气液混合装置23设置于所述槽体21和原水收集池1中间管道上；更进一步的，在电极区布置强曝气系统，所述强曝气系统采用穿孔的曝气管24。
所述电絮凝装置2设有四个所述电极反应区，每个电极反应区水体的流向为上进下出，且出水段设置布水流道(未图示)，所述布水流道与所述布水槽28连通。
多个所述电极板26均匀设置于所述槽体21内，每相邻两个所述电极板26之间的板间距为5cm。
所述电极板26采用铝板或铁板；所述电极板26包括正极板和负极板，所述正极板和负极板自动切换的时间间隔为≤5min。
所述气液混合装置23采用气液混合泵，液气比为1-2:9，气量为0.14m3/min，气压为0.18mpa。
四个所述电极反应区采用降流形式，相邻两个电极反应区的水位降低8cm，对应的每个电极反应区的布水槽28同时降低8cm。
实施例2
一种含硅废水的电絮凝除硅工艺，包括如下步骤：
1)将含硅原水收集至原水收集池1中，再将原水收集池1中含硅原水泵入软化装置7中先去除硬度，确保含硅原水的硬度不高于100mg/l；
2)将步骤1)中经过除硬度的水体再送入电絮凝装置2中进行电解处理，然后将电解处理后的水体送入沉淀池3中静置分层；电解处理时的电压为23v，电流密度在58a/m2，电解处理时间为25min；
3)将步骤2)中经过沉淀池3沉降分层后的下层沉淀排出，再将经过沉淀池3沉降分层后的上层清液送入中间水池4进行二次沉降；
4)将步骤3)中经过中间水池4二次沉降后的上清液送入多介质过滤器5中进行过滤，最后将经过过滤后的滤液进行脱盐处理后回收再利用。
一种含硅废水的电絮凝除硅系统，用于实施上述含硅废水的电絮凝除硅工艺的处理系统，按照处理使用顺序包括依次连通的原水收集池1、电絮凝装置2、沉淀池3、中间水池4、多介质过滤器5和脱盐处理槽5，所述电絮凝装置2包括槽体21、整流机22、气液混合装置23、曝气管24、若干隔板25、若干电极板26和若干导线27，所述隔板25竖直设置于所述槽体21内并将槽体21内分割成多个电极反应区，所述电极板26竖直设置于所述电极反应区内，所述气液混合装置23出口设置于所述槽体21内的底部并均匀分布于所述电极反应区内，所述整流机22设置于所述槽体21的一侧，所述电极板26均通过导线27与所述整流机22连通，所述气液混合装置23设置于所述槽体21和原水收集池1中间管道上；更进一步的，在电极区布置强曝气系统，所述强曝气系统采用穿孔的曝气管24。
所述电絮凝装置2还包括设置于所述槽体21内底部的布水槽28；所述隔板25的上端设有贯穿隔板25的溢流口251。
所述电絮凝装置2设有四个所述电极反应区，每个电极反应区水体的流向为上进下出，且出水段设置布水流道，所述布水流道与所述布水槽28连通。
所述电极板26均匀设置于所述槽体21内，每相邻两个所述电极板26之间的板间距为5.25cm。
多个所述电极板26采用铝板或铁板；所述电极板26包括正极板和负极板，所述正极板和负极板自动切换的时间间隔为≤5min。
所述气液混合装置23采用气液混合泵，液气比为1-2:9，气量为0.15m3/min，气压为0.19mpa。
四个所述电极反应区采用降流形式，相邻两个电极反应区的水位降低9cm，对应的每个电极反应区的布水槽28同时降低9cm。
实施例3
一种含硅废水的电絮凝除硅工艺，包括如下步骤：
1)将含硅原水收集至原水收集池1中，再将原水收集池1中含硅原水泵入软化装置7中先去除硬度，确保含硅原水的硬度不高于100mg/l；
2)将步骤1)中经过除硬度的水体再送入电絮凝装置2中进行电解处理，然后将电解处理后的水体送入沉淀池3中静置分层；电解处理时的电压为24v，电流密度在605a/m2，电解处理时间为30min；
3)将步骤2)中经过沉淀池3沉降分层后的下层沉淀排出，再将经过沉淀池3沉降分层后的上层清液送入中间水池4进行二次沉降；
4)将步骤3)中经过中间水池4二次沉降后的上清液送入多介质过滤器5中进行过滤，最后将经过过滤后的滤液进行脱盐处理后回收再利用。
一种含硅废水的电絮凝除硅系统，用于实施上述含硅废水的电絮凝除硅工艺的处理系统，按照处理使用顺序包括依次连通的原水收集池1、电絮凝装置2、沉淀池3、中间水池4、多介质过滤器5和脱盐处理槽5，所述电絮凝装置2包括槽体21、整流机22、气液混合装置23、曝气管24、若干隔板25、若干电极板26和若干导线27，所述隔板25竖直设置于所述槽体21内并将槽体21内分割成多个电极反应区，所述电极板26竖直设置于所述电极反应区内，所述气液混合装置23出口设置于所述槽体21内的底部并均匀分布于所述电极反应区内，所述整流机22设置于所述槽体21的一侧，所述电极板26均通过导线27与所述整流机22连通，所述气液混合装置23设置于所述槽体21和原水收集池1中间管道上；更进一步的，在电极区布置强曝气系统，所述强曝气系统采用穿孔的曝气管24。
所述电絮凝装置2还包括设置于所述槽体21内底部的布水槽28；所述隔板25的上端设有贯穿隔板25的溢流口251。
所述电絮凝装置2设有四个所述电极反应区，每个电极反应区水体的流向为上进下出，且所述电极反应区的出水段设置布水流道，所述布水流道与所述布水槽28连通。
多个所述电极板26均匀设置于所述槽体21内，每相邻两个所述电极板26之间的板间距为5.5cm。
所述电极板26采用铝板或铁板；所述电极板26包括正极板和负极板，所述正极板和负极板自动切换的时间间隔为≤5min。
所述气液混合装置23采用气液混合泵，液气比为1-2:9，气量为0.16m3/min，气压为0.20mpa。
四个所述电极反应区采用降流形式，相邻两个电极反应区的水位降低10cm，对应的每个电极反应区的布水槽28同时降低10cm。
实施例4
一种含硅废水的电絮凝除硅工艺，包括如下步骤：
1)将含硅原水收集至原水收集池1中，再将原水收集池1中含硅原水泵入软化装置7中先去除硬度，确保含硅原水的硬度不高于100mg/l；
2)将步骤1)中经过除硬度的水体再送入电絮凝装置2中进行电解处理，然后将电解处理后的水体送入沉淀池3中静置分层；电解处理时的电压为25v，电流密度在63a/m2，电解处理时间为35min；
3)将步骤2)中经过沉淀池3沉降分层后的下层沉淀排出，再将经过沉淀池3沉降分层后的上层清液送入中间水池4进行二次沉降；
4)将步骤3)中经过中间水池4二次沉降后的上清液送入多介质过滤器5中进行过滤，最后将经过过滤后的滤液进行脱盐处理后回收再利用。
一种含硅废水的电絮凝除硅系统，用于实施上述含硅废水的电絮凝除硅工艺的处理系统，按照处理使用顺序包括依次连通的原水收集池1、电絮凝装置2、沉淀池3、中间水池4、多介质过滤器5和脱盐处理槽5，所述电絮凝装置2包括槽体21、整流机22、气液混合装置23、曝气管24、若干隔板25、若干电极板26和若干导线27，所述隔板25竖直设置于所述槽体21内并将槽体21内分割成多个电极反应区，所述电极板26竖直设置于所述电极反应区内，所述气液混合装置23出口设置于所述槽体21内的底部并均匀分布于所述电极反应区内，所述整流机22设置于所述槽体21的一侧，所述电极板26均通过导线27与所述整流机22连通，所述气液混合装置23设置于所述槽体21和原水收集池1中间管道上；更进一步的，在电极区布置强曝气系统，所述强曝气系统采用穿孔的曝气管24。
所述电絮凝装置2还包括设置于所述槽体21内底部的布水槽28；所述隔板25的上端设有贯穿隔板25的溢流口251。
所述电絮凝装置2设有四个所述电极反应区，每个电极反应区水体的流向为上进下出，且出水段设置布水流道，所述布水流道与所述布水槽28连通。
多个所述电极板26均匀设置于所述槽体21内，每相邻两个所述电极板26之间的板间距为5.75cm。
所述电极板26采用铝板或铁板；所述电极板26包括正极板和负极板，所述正极板和负极板自动切换的时间间隔为≤5min。
所述气液混合装置23采用气液混合泵，液气比为1-2:9，气量为0.17m3/min，气压为0.21mpa。
四个所述电极反应区采用降流形式，相邻两个电极反应区的水位降低11cm，对应的每个电极反应区的布水槽28同时降低11cm。
实施例5
一种含硅废水的电絮凝除硅工艺，包括如下步骤：
1)将含硅原水收集至原水收集池1中，再将原水收集池1中含硅原水泵入软化装置7中先去除硬度，确保含硅原水的硬度不高于100mg/l；
2)将步骤1)中经过除硬度的水体再送入电絮凝装置2中进行电解处理，然后将电解处理后的水体送入沉淀池3中静置分层；电解处理时的电压为26v，电流密度在65a/m2，电解处理时间为40min；
3)将步骤2)中经过沉淀池3沉降分层后的下层沉淀排出，再将经过沉淀池3沉降分层后的上层清液送入中间水池4进行二次沉降；
将步骤3)中经过中间水池4二次沉降后的上清液送入多介质过滤器5中进行过滤，最后将经过过滤后的滤液进行脱盐处理后回收再利用一种含硅废水的电絮凝除硅系统，用于实施上述含硅废水的电絮凝除硅工艺的处理系统，按照处理使用顺序包括依次连通的原水收集池1、电絮凝装置2、沉淀池3、中间水池4、多介质过滤器5和脱盐处理槽5，所述电絮凝装置2包括槽体21、整流机22、气液混合装置23、曝气管24、若干隔板25、若干电极板26和若干导线27，所述隔板25竖直设置于所述槽体21内并将槽体21内分割成多个电极反应区，所述电极板26竖直设置于所述电极反应区内，所述气液混合装置23出口设置于所述槽体21内的底部并均匀分布于所述电极反应区内，所述整流机22设置于所述槽体21的一侧，所述电极板26均通过导线27与所述整流机22连通，所述气液混合装置23设置于所述槽体21和原水收集池1中间管道上；更进一步的，在电极区布置强曝气系统，所述强曝气系统采用穿孔的曝气管24。
所述电絮凝装置2还包括设置于所述槽体21内底部的布水槽28；所述隔板25的上端设有贯穿隔板25的溢流口251。
所述电絮凝装置2设有四个所述电极反应区，每个电极反应区水体的流向为上进下出，且出水段设置布水流道，所述布水流道与所述布水槽28连通。
所述电极板26均匀设置于所述槽体21内，每相邻两个所述电极板26之间的板间距为6cm。
所述电极板26采用铝板或铁板；所述电极板26包括正极板和负极板，所述正极板和负极板自动切换的时间间隔为≤5min。
所述气液混合装置23采用气液混合泵，液气比为1-2:9，气量为0.18m3/min，气压为0.22mpa。
四个所述电极反应区采用降流形式，相邻两个电极反应区的水位降低12cm，对应的每个电极反应区的布水槽28同时降低12cm
对比例1
本对比例与上述实施例1的区别在于：电解处理时电流密度为65/m2。
本对比例的其他技术特征与实施例1的相同，在此不再重复叙述。
对比例2
本对比例与上述实施例3的区别在于：电极板26的板间距为1.5cm。
本对比例的其他技术特征与实施例3的相同，在此不再重复叙述。
对比例3
本对比例与上述实施例5的区别在于：电解处理时正极板和负极板自动切换的时间间隔为60min。
本对比例的其他技术特征与实施例5的相同，在此不再重复叙述。
对比例4
本对比例与上述实施例5的区别在于：电解处理没有设置气液混合装置23对槽液进行气拌。
本对比例的其他技术特征与实施例5的相同，在此不再重复叙述。
按照《gb/t12149-2007工业循环冷却水和锅炉用水中硅的测定》，测量本发明实施例1、3和5及对比例1-4处理前后的水体硅含量，分别测量含硅废水中的硅含量，处理后的回收水中的硅含量，计算处理前后的除硅率，以及电絮凝装置中结垢情况，测试结果如表1所示：
表1
由上述测试数据可知，通过采用本发明的除硅处理工艺及除硅处理系统对含硅废水进行处理，并严格控制电解过程电絮凝装置的电流密度、电压、电极板的板间距和正极板和负极板自动切换的时间间隔，以及曝气搅拌操作，除硅率高，对含硅废水的除硅效果明显，且过程中无需添加化学助剂，避免了化学助剂对水体造成的二次污染，处理后的水体可回收再利用，可适用于大规模处理。
上述实施例为本发明较佳的实现方案，除此之外，本发明还可以其它方式实现，在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。
技术特征：
1.一种含硅废水的电絮凝除硅工艺，其特征在于：包括如下步骤：
1)将含硅原水收集至原水收集池中，再将原水收集池中含硅原水泵入软化装置中先去除硬度，确保含硅原水的硬度不高于100mg/l；
2)将步骤1)中经过除硬度的水体再送入电絮凝装置中进行电解处理，然后将电解处理后的水体送入沉淀池中静置分层；
3)将步骤2)中经过沉淀池沉降分层后的下层沉淀排出，再将经过沉淀池沉降分层后的上层清液送入中间水池进行二次沉降；
4)将步骤3)中经过中间水池二次沉降后的上清液送入多介质过滤器中进行过滤，最后将经过过滤后的滤液进行脱盐处理后回收再利用。
2.根据权利要求1所述的一种含硅废水的电絮凝除硅工艺，其特征在于：所述步骤2)中电解处理时的电压为22-26v，电流为5000-6000a，电流密度在55-65a/m2，电解处理时间为20-40min。
3.一种含硅废水的电絮凝除硅系统，其特征在于：所述电絮凝除硅系统用于处理含硅废水，所述电絮凝除硅系统按照处理使用顺序包括依次连通的原水收集池、电絮凝装置、沉淀池、中间水池、多介质过滤器和脱盐处理槽，所述电絮凝装置包括槽体、整流机、气液混合装置、若干隔板、若干电极板和若干导线，所述隔板竖直设置于所述槽体内并将槽体内分割成多个电极反应区，所述电极板竖直设置于所述电极反应区内，所述气液混合装置出口设置于所述槽体内的底部并均匀分布于所述电极反应区内，所述整流机设置于所述槽体的一侧，所述电极板均通过导线与所述整流机连通，所述气液混合装置设置于所述槽体和原水收集池中间管道上。
4.根据权利要求3所述的一种含硅废水的电絮凝除硅系统，其特征在于：所述电絮凝装置还包括设置于所述槽体内底部的布水槽。
5.根据权利要求3所述的一种含硅废水的电絮凝除硅系统，其特征在于：多个所述电极板均匀设置于所述槽体内，每相邻两个所述电极板之间的板间距为5-6cm。
6.根据权利要求3所述的一种含硅废水的电絮凝除硅系统，其特征在于：所述电极板采用铝板或铁板。
7.根据权利要求3所述的一种含硅废水的电絮凝除硅系统，其特征在于：所述电极板包括正极板和负极板，所述正极板和负极板自动切换的时间间隔为≤5min。
8.根据权利要求3所述的一种含硅废水的电絮凝除硅系统，其特征在于：所述气液混合装置采用气液混合泵，液气比为1-2:9。
9.根据权利要求4所述的一种含硅废水的电絮凝除硅系统，其特征在于：所述电絮凝装置设有四个所述电极反应区，每个电极反应区水体的流向为上进下出，且所述电极反应区的出水段设置有布水流道，所述布水流道与所述布水槽连通。
10.根据权利要求9所述的一种含硅废水的电絮凝除硅系统，其特征在于：四个所述电极反应区采用降流形式，相邻两个电极反应区的水位降低8-12cm，对应的每个电极反应区的布水槽同时降低8-12cm。
技术总结
本发明涉及含硅废水处理技术领域，具体涉及一种含硅废水的电絮凝除硅工艺，1)将含硅原水收集至原水收集池中，再将原水收集池中含硅原水通过气液混合泵泵入电絮凝装置中进行电解处理，然后将电解处理后的水体送入沉淀池中静置分层；2)将步骤1)中经过沉淀池沉降分层后的下层沉淀排出，再将经过沉淀池沉降分层后的上层清液送入中间水池进行二次沉降；3)将步骤2)中经过中间水池二次沉降后的上清液送入多介质过滤器中进行过滤，最后将经过过滤后的滤液进行脱盐处理后回收再利用。本发明的含硅废水的电絮凝除硅工艺操作简单，在处理过程中不需要添加化学药剂，避免二次污染环境，除硅处理率高达99％以上，可适用于大规模处理，实用性高。
技术开发人、权利持有人：焦伟丽;何辉
