本发明属于机蒸镀源陶瓷坩埚清洗领域，具体涉及一种有机蒸镀源陶瓷坩埚洗净再生方法。
背景技术：
陶瓷材料存在气孔率高和膜质渗透的缺点，有机蒸镀陶瓷坩埚实验环境温度在450℃以上，坩埚内的有机蒸镀材料在高温条件洗极易渗透至陶瓷内部，而化学清洗后陶瓷本体内部会有少量有机蒸镀材料和药液残留，在高温条件下坩埚内吸附的残膜和杂质会对蒸镀材料造成污染。原有技术主要通过化学液洗溶解坩埚内部有机蒸镀膜质，但陶瓷本体渗透的有机蒸镀材料无法完全去除，影响洗净部品使用正常使用，存在有机物蒸镀过程中交叉污染的风险。
传统解决方法为化学去膜方法，化学药水浸泡去膜后陶瓷坩埚表面和内部会有印迹或有机物残留，通过延长药液浸泡时间也无法去除陶瓷本体内渗透的膜质。若采直接采用高温烘烤方式去膜，会由于坩埚内膜质残留量大导致有机膜渗透更加明显，后期处理残留膜质会更加困难。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足，提供一种有机蒸镀源陶瓷坩埚洗净再生方法，采用化学液洗+高温烘烤方式去除有机蒸镀源陶瓷坩埚内部残余膜质，可保证清洗效果。
本发明所采用的技术方案是：一种有机蒸镀源陶瓷坩埚洗净再生方法，包括以下步骤：
步骤10、受入检查：对待清洗的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行受入检查，保证待清洗的有机蒸镀源陶瓷坩埚本体无缺损备用；
步骤20、化学清洗：采用有机清洗剂去除步骤10中经检查且其本体无缺损的有机蒸镀陶瓷坩埚表面的有机蒸镀材料；
步骤30、预干燥：将步骤20中完成化学清洗的有机蒸镀源陶瓷坩埚送入干燥箱，通过气枪吹扫其表面的方式去除表面水分，干燥温度为100℃-200℃，干燥时间为0.5小时-2小时；
步骤40、高温烘烤：对步骤30中完成预干燥的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行高温烘烤，高温烘烤过程中其加热速率为0.5℃/min-3℃/min，加热最高温度为500℃-800℃，最高温度保温时间为2小时-10小时，保温过程中温度波动范围控制在±10℃，达到保温时间后进行降温，降温速率为0.5℃/min-3℃/min，待温度降至室温即可；
步骤50、纯水浸泡：对步骤40中完成高温烘烤的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行纯水浸泡，浸泡时间为30min；
步骤60、烘干：对步骤50中完成纯水浸泡的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行烘干，即可完成对有机蒸镀源陶瓷坩埚的清洗再生。
其中一个实施例中，步骤20中，采用的有机清洗剂为氢氟醚、环丁砜、二氧六环diox、n-甲基吡咯烷酮nmp、单甲基甲酰胺nmf、二甲基甲酰胺dmf或二甲基咪唑啉酮dmi中的任一种或两种。
其中一个实施例中，步骤60中，所述烘干温度为100℃-250℃。
本发明的有益效果在于：
1、化学清洗所选用清洗剂可实现有机蒸镀材料的溶解，使陶瓷坩埚表面无有机蒸镀材料附着；
2、陶瓷部品内部为多孔材料，高温烘烤时陶瓷本体内部有机残膜发生升华，升华的物质会从陶瓷本体孔隙中溢出，最终实现对陶瓷部品的彻底清洗；
3、本发明简化洗净流程、减少洗净时间、降低人力成本，整体洗净周期相对于普通清洗方式会节省80％的时间，大大降低人力成本；
4、合理完善的洗净流程，损伤较小的再生方式。不会破坏陶瓷釉层,保证陶瓷本体表面的光洁度、平整度。
具体实施方式
下面将结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
本发明公开了一种有机蒸镀源陶瓷坩埚洗净再生方法，包括以下步骤：
步骤10、受入检查：对待清洗的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行受入检查，保证待清洗的有机蒸镀源陶瓷坩埚本体无缺损备用；
步骤20、化学清洗：采用有机清洗剂去除步骤10中经检查且其本体无缺损的有机蒸镀陶瓷坩埚表面的有机蒸镀材料；
步骤30、预干燥：将步骤20中完成化学清洗的有机蒸镀源陶瓷坩埚送入干燥箱，通过气枪吹扫其表面的方式去除表面水分，干燥温度为100℃-200℃，干燥时间为0.5小时-2小时；
步骤40、高温烘烤：对步骤30中完成预干燥的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行高温烘烤，高温烘烤过程中其加热速率为0.5℃/min-3℃/min，加热最高温度为500℃-800℃，最高温度保温时间为2小时-10小时，保温过程中温度波动范围控制在±10℃，达到保温时间后进行降温，降温速率为0.5℃/min-3℃/min，待温度降至室温即可；
步骤50、纯水浸泡：对步骤40中完成高温烘烤的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行纯水浸泡，浸泡时间为30min；
步骤60、烘干：对步骤50中完成纯水浸泡的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行烘干，即可完成对有机蒸镀源陶瓷坩埚的清洗再生。
本实施例中，步骤20中，采用的有机清洗剂为氢氟醚、环丁砜、二氧六环diox、n-甲基吡咯烷酮nmp、单甲基甲酰胺nmf、二甲基甲酰胺dmf或二甲基咪唑啉酮dmi中的任一种或两种。
本实施例中，步骤60中，所述烘干温度为100℃-250℃。
本发明针对有机蒸陶瓷坩埚进行洗净再生，根据不同种类本体陶瓷材质，以及内部残膜的理化性质、膜层附着量等，采用化学液洗+高温烘烤方式去除陶瓷坩埚内部残余膜质。该种处理方式的化学液洗用于去除坩埚内部附着的有机蒸镀材料，高温烘烤用于去除陶瓷本体内部渗透的有机蒸镀材料。
本发明中，由于有机蒸镀材料在400℃以上会发生升华现象，利用该原理通过高温烘烤的方式使陶瓷本体内部的有机物升华溢出，实现对陶瓷本体的渗透膜质的清除。同时，烘烤温度比陶瓷烧结温度低，不会对陶瓷部品的使用寿命造成影响。
以上所述实施例仅表达了本发明的具体实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
技术特征：
1.一种有机蒸镀源陶瓷坩埚洗净再生方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤10、受入检查：对待清洗的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行受入检查，保证待清洗的有机蒸镀源陶瓷坩埚本体无缺损备用；
步骤20、化学清洗：采用有机清洗剂去除步骤10中经检查且其本体无缺损的有机蒸镀陶瓷坩埚表面的有机蒸镀材料；
步骤30、预干燥：将步骤20中完成化学清洗的有机蒸镀源陶瓷坩埚送入干燥箱，通过气枪吹扫其表面的方式去除表面水分，干燥温度为100℃-200℃，干燥时间为0.5小时-2小时；
步骤40、高温烘烤：对步骤30中完成预干燥的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行高温烘烤，高温烘烤过程中其加热速率为0.5℃/min-3℃/min，加热最高温度为500℃-800℃，最高温度保温时间为2小时-10小时，保温过程中温度波动范围控制在±10℃，达到保温时间后进行降温，降温速率为0.5℃/min-3℃/min，待温度降至室温即可；
步骤50、纯水浸泡：对步骤40中完成高温烘烤的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行纯水浸泡，浸泡时间为30min；
步骤60、烘干：对步骤50中完成纯水浸泡的有机蒸镀源陶瓷坩埚进行烘干，即可完成对有机蒸镀源陶瓷坩埚的清洗再生。
2.根据权利要求1所述的一种有机蒸镀源陶瓷坩埚洗净再生方法，其特征在于，步骤20中，采用的有机清洗剂为氢氟醚、环丁砜、二氧六环diox、n-甲基吡咯烷酮nmp、单甲基甲酰胺nmf、二甲基甲酰胺dmf或二甲基咪唑啉酮dmi中的任一种或两种。
3.根据权利要求1所述的一种有机蒸镀源陶瓷坩埚洗净再生方法，其特征在于，步骤60中，所述烘干温度为100℃-250℃。
技术总结
本发明公开了一种有机蒸镀源陶瓷坩埚洗净再生方法，包括以下步骤：步骤10、受入检查；步骤20、化学清洗；步骤30、预干燥；步骤40、高温烘烤；步骤50、纯水浸泡；步骤60、烘干。本发明采用化学液洗+高温烘烤方式去除有机蒸镀源陶瓷坩埚内部残余膜质，可保证清洗效果。
技术开发人、权利持有人：吕先锋;惠朝先;邱俊;陈运友;李奎;向志强;彭杰;黄旭
