本申请涉及半导体制造技术领域，更具体地说，它涉及一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法。
背景技术：
cmp(chemicalmechanicalpolishing,)，即化学机械抛光，是化学腐蚀和机械研磨同时进行的研磨方法，其利用化学药品在晶片表面形成容易去除的活性层，同时利用研磨剂、晶片与垫片之间的压力和相对转速引起的摩擦去除活性层而进行平坦化，使晶片表面平整。cmp工艺中涉及到设备和消耗品包括：抛光机、抛光浆料、抛光垫和cmp后清洗设备等。由于抛光片的分界面化学反应和研磨微粒的存在，在cmp工艺中，必然会引入表面缺陷和玷污，所以在晶片表面全局平坦化以后，必须对其进行有效的清洗。
现有清洗工艺中，最常用的是机械清洗，其中一种是用聚乙烯醇制成的刷子在硅片的一面或两面上来回清扫，以去除晶片表面的污渍。即机械清洗工艺利用了潮湿时质地松软的刷子以及利用了液体水动力对表面微粒施加去除作用，从而去除晶片表面的污渍。但是，机械清洗只适合用于钨等硬质晶片的清洗，对于氧化镓等软质晶片，如果用刷子清洗，刷子的刷毛容易在氧化镓表面造成划痕，损害氧化镓晶片。
技术实现要素：
为了在不损害氧化镓晶片的同时将氧化镓晶片清洗干净，本申请提供了一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法。
一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法，采用如下的技术方案：
s1、用包含硫酸、双氧水和去离子水的清洗液ⅰ清洗cmp后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；
s2、用包含氨水、双氧水和去离子水的清洗液ⅱ清洗s1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；
s3、用包含氢氟酸和去离子水的清洗液ⅲ清洗s2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；
s4、用包含盐酸、双氧水和去离子水的清洗液ⅳ清洗s3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；
s5、在超声功率为150-300w的环境下超声清洗s4清洗后的氧化镓晶片。
氧化镓晶片在cmp处理过程中，由于抛光的分界面化学反应和研磨微粒的存在，氧化镓表面会残留硅溶胶，二氧化硅颗粒，石蜡，抛光布垫碎屑和不锈钢渣等金属杂质。
本申请中，第一步用含硫酸的清洗液ⅰ清洗cmp后的氧化镓晶片，可去除晶片表面的金属、石蜡等杂质；第二步用含氨水的清洗液ⅱ清洗，可去除的氧化镓晶片上被研磨的细小晶颗粒，也可去除晶片表面的部分灰尘、油污或手印等玷污的痕迹；第三步用含氢氟酸的清洗液ⅲ清洗，可去除来自抛光液残留硅溶胶和二氧化硅等颗粒；第四步用包含盐酸的清洗液ⅳ清洗，可去除fe、mg、zn和al等金属离子；第五步用超声清洗，可将残留在晶片上的各种污渍振落下。整个清洗过程中，没有用到刷子等清洗工具，就能将氧化镓清洗干净，实现了在不损害氧化镓晶片的前提下，有效的清洗晶片。本申请中，按照特定的步骤清洗cmp后的氧化镓晶片，能有序的去除氧化镓晶片表面的污渍，且极大的提高了清洗效率，节约了清洗时间。本申请中，用完一种清洗液清洗氧化镓晶片后，先用去离子水清洗，再用下一种清洗液，可减少不同清洗液之间相互影响，有利于提高清洗效果。
优选的，所述s1中，硫酸的浓度为85％-95％，双氧水的浓度为30％-50％，且所述硫酸、双氧水和去离子水的体积比为1：(2-5)：(9-15)；再进一步优选，所述s1中，所述清洗液ⅰ的温度为100-130℃。
通过采用上述技术方案，使用特定浓度和特定温度的清洗液ⅰ清洗氧化镓晶片，可在有限时间内最大程度的去除氧化镓晶片表面的石蜡等有机物，极大的节约了清洗时间。
优选的，所述s2中，氨水的浓度为20％-33.2％、双氧水的浓度为30％-50％，且所述氨水、双氧水和去离子水的体积比为1：(1-4)：(4-12)；再进一步优选，所述s2中，所述清洗液ⅱ的温度为65-80℃。
通过采用上述技术方案，使用特定浓度和特定温度的清洗液ⅱ清洗氧化镓晶片，可在有限时间内最大程度的去除氧化镓晶片表面的晶颗粒，极大的节约了清洗时间，还能很好的去除晶片表面的灰尘、油污或手印等痕迹，提高了清洗效果。
优选的，所述s3中，氢氟酸的浓度30-40％，且氢氟酸和去离子水的体积比为1：(2-10)；再进一步优选，所述s3中，清洗液ⅲ的温度为20-25℃。
通过采用上述技术方案，使用特定浓度和特定温度的清洗液ⅲ清洗氧化镓晶片，可在有限时间内最大程度的去除氧化镓晶片表面的硅溶胶和二氧化硅等颗粒，极大的节约了清洗时间。
优选的，所述s4中，盐酸的浓度为30％-36％，双氧水的浓度为30％-50％且盐酸、双氧水和去离子水的体积比为1：(1-5)：(4-10)；再进一步优选，所述s4中，清洗液ⅳ的温度为65-80℃。
通过采用上述技术方案，使用特定浓度和特定温度的清洗液ⅳ清洗氧化镓晶片，可在有限时间内最大程度的去除氧化镓晶片表面的fe、mg、zn和al等金属离子，极大的节约了清洗时间。
优选的，步骤s4后，先用丙酮擦拭，再进行s5的操作。
通过采用上述技术方案，用清洗液ⅳ清洗后，先用丙酮清洗，再用超声清洗，此时，清洗后的氧化镓晶片可直接用于显微镜检测。
综上所述，本申请具有以下有益效果：
1、本申请中，首先采用清洗液ⅰ、清洗液ⅱ、清洗液ⅲ和清洗液ⅳ按顺序对氧化镓晶片依次进行清洗，最后用超声清洗，从而可以在不损害氧化镓晶片的前提下将其清洗干净；
2、本申请中优选采用特定的清洗液ⅰ、清洗液ⅱ、清洗液ⅲ和清洗液ⅳ，每个特定的清洗液结合特定的温度对氧化镓进行清洗，可极大提高了清洗效率，节约清洗时间。
附图说明
图1-1是编号为1的氧化镓晶片清洗前在100倍显微镜下观察到的视图。
图1-2是编号为1的氧化镓晶片用实施例16的清洗方法清洗后，在100倍显微镜下观察到的视图。
图2-1是编号为2的氧化镓晶片清洗前在50倍显微镜下观察到的视图。
图2-2是编号为2的氧化镓晶片用实施例3的清洗方法清洗后，在50倍显微镜下观察到的视图。
图3-1是编号为3的氧化镓晶片清洗前在50倍显微镜下观察到的视图。
图3-2是编号为3的氧化镓晶片用对比例1的清洗方法清洗后，在50倍显微镜下观察到的视图。
具体实施方式
实施例
实施例1
一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法，包括如下步骤：
s1、用温度为80℃的清洗液ⅰ清洗cmp后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅰ由硫酸、双氧水和去离子水按体积比为2:1:8配置而成，其中，硫酸的浓度为85％，双氧水的浓度为30％。
s2、用温度为50℃的清洗液ⅱ清洗s1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅱ由氨水、双氧水和去离子水按体积比为2：1：10配置而成，其中氨水的浓度为20％，双氧水的浓度为30％。
s3、用温度为10℃的清洗液ⅲ清洗s2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅲ由氢氟酸和去离子水按体积比为1:1配置而成，其中氢氟酸的浓度30％。
s4、用温度为45℃的清洗液ⅳ清洗s3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅳ由盐酸、双氧水和去离子水按体积比为2：1：10配置而成，其中盐酸的浓度为30％，双氧水的浓度为30％。
s5、在超声功率为300w的环境下超声清洗s4清洗后的氧化镓晶片，即可完成清洗。
实施例2
一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法，包括如下步骤：
s1、用温度为150℃的清洗液ⅰ清洗cmp后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅰ由硫酸、双氧水和去离子水按体积比为2:2:10配置而成，其中，硫酸的浓度为85％，双氧水的浓度为30％。
s2、用温度为100℃的清洗液ⅱ清洗s1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅱ由氨水、双氧水和去离子水按体积比为1:4：8配置而成，其中氨水的浓度为20％，双氧水的浓度为30％。
s3、用温度为37℃的清洗液ⅲ清洗s2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅲ由氢氟酸和去离子水按体积比为2:1配置而成，其中氢氟酸的浓度30％。
s4、用温度为100℃的清洗液ⅳ清洗s3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅳ由盐酸、双氧水和去离子水按体积比为1:1:1配置而成，其中盐酸的浓度为30％，双氧水的浓度为30％。
s5、在超声功率为150w的环境下超声清洗s4清洗后的氧化镓晶片，即可完成清洗。
实施例3
一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法，包括如下步骤：
s1、用温度为100℃的清洗液ⅰ清洗cmp后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅰ由硫酸、双氧水和去离子水按体积比为1:2:9配置而成，其中，硫酸的浓度为85％，双氧水的浓度为30％。
s2、用温度为65℃的清洗液ⅱ清洗s1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅱ由氨水、双氧水和去离子水按体积比为1：1：4配置而成，其中氨水的浓度为20％，双氧水的浓度为30％。
s3、用温度为20℃的清洗液ⅲ清洗s2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅲ由氢氟酸和去离子水按体积比为1:2配置而成，其中氢氟酸的浓度30％。
s4、用温度为65℃的清洗液ⅳ清洗s3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅳ由盐酸、双氧水和去离子水按体积比为1：1：4配置而成，其中盐酸的浓度为30％，双氧水的浓度为30％。
s5、在超声功率为200w的环境下超声清洗s4清洗后的氧化镓晶片，即可完成清洗。
实施例4
实施例4与实施例3的区别在于：实施例4中，清洗液ⅰ由硫酸、双氧水和去离子水按体积比为1:5:15配置而成，清洗液ⅰ的温度为130℃；其余均与实施例3保持一致。
实施例5
实施例5与实施例3的区别在于：实施例5中，清洗液ⅰ由硫酸、双氧水和去离子水按体积比为1:3:10配置而成，清洗液ⅰ的温度为120℃；其余均与实施例3保持一致。
实施例6
实施例6与实施例5的区别在于：实施例6中，清洗液ⅰ中硫酸浓度为92％，双氧水浓度为35％；其余均与实施例5保持一致。
实施例7
一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法，包括如下步骤：
s1、用温度为120℃的清洗液ⅰ清洗cmp后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅰ由硫酸、双氧水和去离子水按体积比为1:3:10配置而成，其中，硫酸的浓度为92％，双氧水的浓度为35％。
s2、用温度为80℃的清洗液ⅱ清洗s1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅱ由氨水、双氧水和去离子水按体积比为1：4：12配置而成，其中氨水的浓度为20％，双氧水的浓度为30％。
s3、用温度为20℃的清洗液ⅲ清洗s2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅲ由氢氟酸和去离子水按体积比为1:2配置而成，其中氢氟酸的浓度30％。
s4、用温度为65℃的清洗液ⅳ清洗s3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅳ由盐酸、双氧水和去离子水按体积比为1：1：4配置而成，其中盐酸的浓度为30％，双氧水的浓度为30％。
s5、在超声功率为200w的环境下超声清洗s4清洗后的氧化镓晶片，即可完成清洗。
实施例8
实施例8与实施例7的区别在于：实施例8中，清洗液ⅱ由氨水、双氧水和去离子水按体积比为1:1:5配置而成，清洗液ⅱ的温度为75℃；其余均与实施例7保持一致。
实施例9
实施例9与实施例8的区别在于：实施例8中，清洗液ⅱ由氨水、双氧水和去离子水按体积比为1:2:7配置而成；其余均与实施例8保持一致。
实施例10
实施例10与实施例9的区别在于：实施例10中，清洗液ⅱ中氨水浓度为27.35％，双氧水浓度为47％；其余均与实施例9保持一致。
实施例11
一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法，包括如下步骤：
s1、用温度为120℃的清洗液ⅰ清洗cmp后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅰ由硫酸、双氧水和去离子水按体积比为1:3:10配置而成，其中，硫酸的浓度为92％，双氧水的浓度为35％。
s2、用温度为75℃的清洗液ⅱ清洗s1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅱ由氨水、双氧水和去离子水按体积比为1:2:7配置而成，其中氨水的浓度为27.35％，双氧水的浓度为47％。
s3、用温度为25℃的清洗液ⅲ清洗s2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅲ由氢氟酸和去离子水按体积比为1:10配置而成，其中氢氟酸的浓度30％。
s4、用温度为65℃的清洗液ⅳ清洗s3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅳ由盐酸、双氧水和去离子水按体积比为1：1：4配置而成，其中盐酸的浓度为30％，双氧水的浓度为30％。
s5、在超声功率为200w的环境下超声清洗s4清洗后的氧化镓晶片，即可完成清洗。
实施例12
实施例12与实施例11的区别在于：实施例12中，清洗液ⅲ由氢氟酸和去离子水按体积比为1:8配置而成，清洗液ⅲ的温度为20℃；其余均与实施例11保持一致。
实施例13
一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法，包括如下步骤：
s1、用温度为120℃的清洗液ⅰ清洗cmp后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅰ由硫酸、双氧水和去离子水按体积比为1:3:10配置而成，其中，硫酸的浓度为92％，双氧水的浓度为35％。
s2、用温度为75℃的清洗液ⅱ清洗s1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅱ由氨水、双氧水和去离子水按体积比为1：2：7配置而成，其中氨水的浓度为27.35％，双氧水的浓度为47％。
s3、用温度为20℃的清洗液ⅲ清洗s2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅲ由氢氟酸和去离子水按体积比为1:8配置而成，其中氢氟酸的浓度30％。
s4、用温度为80℃的清洗液ⅳ清洗s3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅳ由盐酸、双氧水和去离子水按体积比为1：5：10配置而成，其中盐酸的浓度为30％，双氧水的浓度为30％。
s5、在超声功率为200w的环境下超声清洗s4清洗后的氧化镓晶片，即可完成清洗。
实施例14
实施例14与实施例13的区别在于：实施例14中，清洗液ⅳ由盐酸、双氧水和去离子水按体积比为1:1:6配置而成，清洗液ⅲ的温度为70℃；其余均与实施例13保持一致。
实施例15
实施例15与实施例14的区别在于：实施例14中，清洗液ⅳ由盐酸、双氧水和去离子水按体积比为1:2:8配置而成；其余均与实施例14保持一致。
实施例16
实施例16与实施例15的区别在于：实施例16中，清洗液ⅳ中盐酸的浓度为31％，双氧水的浓度为35％；其余均与实施例15保持一致。
实施例17
一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法，包括如下步骤：
s1、用温度为120℃的清洗液ⅰ清洗cmp后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅰ由硫酸、双氧水和去离子水按体积比为1:3:10配置而成，其中，硫酸的浓度为92％，双氧水的浓度为35％。
s2、用温度为75℃的清洗液ⅱ清洗s1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅱ由氨水、双氧水和去离子水按体积比为1：2：7配置而成，其中氨水的浓度为27.35％，双氧水的浓度为47％。
s3、用温度为20℃的清洗液ⅲ清洗s2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅲ由氢氟酸和去离子水按体积比为1:8配置而成，其中氢氟酸的浓度30％。
s4、用温度为70℃的清洗液ⅳ清洗s3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅳ由盐酸、双氧水和去离子水按体积比为1：2：8配置而成，其中盐酸的浓度为31％，双氧水的浓度为35％。
s5、在超声功率为200w的环境下超声清洗s4清洗后的氧化镓晶片，即可完成清洗。
实施例18
一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法，包括如下步骤：
s1、用温度为120℃的清洗液ⅰ清洗cmp后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅰ由硫酸、双氧水和去离子水按体积比为1:3:10配置而成，其中，硫酸的浓度为92％，双氧水的浓度为35％。
s2、用温度为75℃的清洗液ⅱ清洗s1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅱ由氨水、双氧水和去离子水按体积比为1：2：7配置而成，其中氨水的浓度为27.35％，双氧水的浓度为47％。
s3、用温度为20℃的清洗液ⅲ清洗s2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅲ由氢氟酸和去离子水按体积比为1:8配置而成，其中氢氟酸的浓度30％。
s4、用温度为70℃的清洗液ⅳ清洗s3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；清洗液ⅳ由盐酸、双氧水和去离子水按体积比为1：1：6配置而成，其中盐酸的浓度为30％，双氧水的浓度为30％。
s5、用丙酮清洗s4清洗后的氧化镓晶片。
s6、在超声功率为200w的环境下超声清洗s5清洗后的氧化镓晶片，即可完成清洗。
对比例
对比例1
对比例1与实施例3的区别在于，对比例1中，步骤s1用的清洗液ⅱ，步骤s2用的液ⅰ，其余均与实施例3保持一致。
对比例2
对比例2与实施例3的区别在于，对比例2中，步骤s1用的清洗液ⅱ，步骤s2用的清洗液ⅲ，步骤s3用的清洗液ⅰ，其余均与实施例3保持一致。
对比例3
对比例3与实施例16的区别在于，对比例3中，步骤s1用的清洗液ⅳ，步骤s4用的液ⅰ，其余均与实施例16保持一致。
性能检测试验
1、清洗效果观察
1.1、将编号为1的氧化镓晶片在100倍显微镜下观察表面干净程度，具体观察到的现象如图1-1所示；然后将编号为1的氧化镓晶片用实施例16的清洗方法进行清洗，然后在100倍显微镜下观察表面干净程度，具体观察到的现象如图1-2所示；
1.2、将编号为2的氧化镓晶片在50倍显微镜下观察表面干净程度，具体观察到的现象如图2-1所示；然后将编号为2的氧化镓晶片用实施例3的清洗方法进行清洗，然后在50倍显微镜下观察表面干净程度，具体观察到的现象如图2-2所示；
1.3、将编号为3的氧化镓晶片在50倍显微镜下观察表面干净程度，具体观察到的现象如图3-1所示；然后将编号为3的氧化镓晶片用对比例1的清洗方法进行清洗，然后在50倍显微镜下观察表面干净程度，具体观察到的现象如图3-2所示。
图1-1到3-2中点状或块状的阴影就是氧化镓晶片上的污渍。
对比图1-1和1-2，可知，图1-2上基本没什么污渍；
对比图2-1和2-2，可知，图2-2上基本没什么污渍；
对比图3-1和3-2，可知，图3-2上残留有污渍；
由此可知，采用本申请的清洗方法可很好的去除氧化镓晶片的污渍。
2、清洗效率
分别用实施例1-18和对比例1-3的清洗方法清洗各氧化镓晶片，使各氧化镓晶片在50倍显微镜下基本观察不到污渍，统计清洗过程中，各步骤清洗所花费的具体时间，如下表1所示。
表1清洗过程所花时间
观察表1，对比实施例3与对比例1-3数据可知，对比例所花的时间远大于实施例3所花费是时间，由此可知，按照本申请的特定的清洗顺序清洗氧化镓晶片，可极大的节约时间；
对比实施例3-6的数据可知，实施例5和6所花费的时间小于实施例3和4，由此可知，在特定的清洗顺序下，按照实施例5和6中的配比而配置的清洗液ⅰ，更有利于清洗晶片表面的污渍；
对比实施例7-10的数据可知，实施例9和10所花费的时间小于实施例7和8，由此可知，在特定的清洗顺序下，按照实施例9和10中的配比而配置的清洗液ⅱ，更有利于清洗晶片表面的污渍；
对比实施例13-16的数据可知，实施例15和16所花费的时间小于实施例13和14，由此可知，在特定的清洗顺序下，按照实施例15和16中的配比而配置的清洗液ⅲ，更有利于清洗晶片表面的污渍。
观察整个表1可知，各清洗液的配置和清洗液的清洗顺序都会影响清洗的时间。
本具体实施例仅仅是对本申请的解释，其并不是对本申请的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本申请的权利要求范围内都受到专利法的保护。
技术特征：
1.一种氧化镓晶片cmp后的清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
s1、用包含硫酸、双氧水和去离子水的清洗液ⅰ清洗cmp后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；
s2、用包含氨水、双氧水和去离子水的清洗液ⅱ清洗s1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；
s3、用包含氢氟酸和去离子水的清洗液ⅲ清洗s2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；
s4、用包含盐酸、双氧水和去离子水的清洗液ⅳ清洗s3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；
s5、在超声功率为150-300w的环境下超声清洗s4清洗后的氧化镓晶片。
2.根据权利要求1所述的氧化镓晶片cmp后的清洗方法，其特征在于：所述s1中，硫酸的浓度为85%-95%，双氧水的浓度为30%-50%；且所述硫酸、双氧水和去离子水的体积比为1：（2-5）：（9-15）。
3.根据权利要求2所述的氧化镓晶片cmp后的清洗方法，其特征在于：所述s1中，所述清洗液ⅰ的温度为100-130℃。
4.根据权利要求1所述的氧化镓晶片cmp后的清洗方法，其特征在于：所述s2中，氨水的浓度为20%-33.2%、双氧水的浓度为30%-50%；且所述氨水、双氧水和去离子水的体积比为1：（1-4）：（4-12）。
5.根据权利要求1所述的氧化镓晶片cmp后的清洗方法，其特征在于：所述s2中，所述清洗液ⅱ的温度为65-80℃。
6.根据权利要求1所述的氧化镓晶片cmp后的清洗方法，其特征在于：所述s3中，氢氟酸的浓度30-40%，且氢氟酸和去离子水的体积比为1：（2-10）。
7.根据权利要求1所述的氧化镓晶片cmp后的清洗方法，其特征在于：所述s3中，清洗液ⅲ的温度为20-25℃。
8.根据权利要求1所述的氧化镓晶片cmp后的清洗方法，其特征在于：所述s4中，盐酸的浓度为30%-36%，双氧水的浓度为30%-50%且盐酸、双氧水和去离子水的体积比为1：（1-5）：（4-10）。
9.根据权利要求1所述的氧化镓晶片cmp后的清洗方法，其特征在于：所述s4中，清洗液ⅳ的温度为65-80℃。
10.根据权利要求1所述的氧化镓晶片cmp后的清洗方法，其特征在于：步骤s4后，先用丙酮擦拭，再进行s5的操作。
技术总结
本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种氧化镓晶片CMP后的清洗方法。其方法为：S1、用包含硫酸、双氧水和去离子水的清洗液Ⅰ清洗CMP后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S2、用包含氨水、双氧水和去离子水的清洗液Ⅱ清洗S1清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S3、用包含氢氟酸和去离子水的清洗液Ⅲ清洗S2清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S4、用包含盐酸、双氧水和去离子水的清洗液Ⅳ清洗S3清洗后的氧化镓晶片，然后用去离子水清洗；S5、在超声功率为150‑300w的环境下超声清洗S4清洗后的氧化镓晶片。
技术开发人、权利持有人：陈政委;赵德刚;范钦明
