本高新技术涉及残胶去除装置，具体涉及适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，属于半导体产品塑封技术领域。
背景技术：
框架式半导体产品在塑封工序中，因某些不可控的因素出现塑封胶残留，极端情况下溢出的残留塑封胶会产生连体状况，这些残胶在电镀前处理去除不干净会影响产品外观，且切筋时会造成刀具的损坏，影响刀具寿命，而刀具磨损则会对电性产生风险；因此需要进行人工剔除，而人工清除作业则增加了一道不可控工序，降低生产效率，且人工清除不能保证彻底清除干净。例如，传统的人工使用刀具清除残胶，存在无法去除材料本体连体胶及框架侧边残胶的情况。
技术实现要素：
为解决现有技术的不足，本高新技术的目的在于提供一种可有效去除框架式半导体的材料与材料、材料与框架之间的连体残胶的去除装置。
为了实现上述目标，本高新技术采用如下的技术方案：
适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，包括用于搁置半导体的框架，激光发生器于框架的顶部悬置，激光接收器于框架的底部与激光发生器对应设置；
所述框架上设有半导体的感应装置，
控制装置根据感应装置的反馈驱动激光发生器的启闭，控制装置根据激光接收器反馈的光强调整激光发生器的功率。
上述激光发生器设有由控制装置驱动的平面定位装置，包括分别由控制装置通过电机驱动的横向x轴和纵向y轴。
进一步的，上述激光接收器与激光发生器通过连杆固定，同步平面位移。
上述感应装置包括红外感应装置、压敏装置。
上述框架上设有若干半导体的限位块。
上述的适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，还包括残胶检测装置，包括设于框架底部的摄像头和控制装置内的图文比对模块；
所述图文比对模块内有由摄像头拍摄的标准半导体的标准图片；
所述摄像头将拍摄的框架上的待检半导体的待检图片反馈给图文比对模块，图文比对模块将比较的标准图片和待检图片之间的差异反馈至控制装置；
控制装置根据差异，驱动平面定位装置和激光发生器清除残胶。
进一步的，上述残胶检测装置由控制装置根据感应装置的反馈启闭。
本高新技术的有益之处在于：
本高新技术的适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，以框架为基架并提供基坐标，通过图文比对模块识别残胶及其位置，通过平面定位装置移动激光发生器，通过激光接收器接收激光的光强于局部判定残胶的清除状态，通过渐变功率的激光发生器有针对性的清除不同薄厚的残胶，起到节能提效的效果。
本高新技术根据框架式产品的结构特点设计，可进一步与塑封打胶机的框架整合，实现一体式结构，可有效去除材料与材料、材料与框架之间的连体残胶，降低后序的切筋工序中因残胶导致模具损坏的隐患，残胶的去除效果好，效率高，有效提升产品的外观品质，具有很强的实用性和广泛的适用性。
附图说明
图1为本高新技术的框架式产品的残胶位置示意图。
图2为本高新技术的适用于框架式半导体产品的连体残胶去除装置的结构示意图。
附图中标记的含义如下：1、框架，2、激光发生器，3、激光接收器，4、平面定位装置，5、红外感应器，6、连杆，7、限位块，a、残胶。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本高新技术作具体的介绍。
适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，由控制装置、框架、激光发生器、激光接收器、残胶检测装置和平面定位装置组成。
框架上设有若干固定半导体的限位块，和用于感应半导体的红外感应器。激光发生器通过平面定位装置悬置于框架的顶部，平面定位装置包括分别由控制装置通过电机驱动的横向x轴和纵向y轴。
激光接收器于框架的底部与激光发生器对应设置，且激光接收器与激光发生器通过连杆固定，可同步平面位移，保证发射和接收。
残胶检测装置由设于框架底部的摄像头和控制装置内的图文比对模块组成。
使用时，
将标准半导体固定在框架上，由摄像头拍摄的标准半导体的标准图片并存储入图文比对模块内。
将待检半导体固定在框架上，红外感应器感应到半导体后反馈信号给控制装置。控制装置启动残胶检测装置：启动摄像头拍摄的框架上的待检半导体，并将待检图片反馈给图文比对模块，图文比对模块将比较的标准图片和待检图片之间的差异反馈至控制装置，差异包括坐标信息：横向x轴和纵向y轴坐标。
控制装置根据差异的坐标信息，驱动平面定位装置将激光发生器和激光接收器移至对应的坐标，启动激光发生器，并根据激光接收器反馈的光强调整激光发生器的功率清除残胶，具体包括以下步骤：
s1、初始：激光发生器射出功率为a0的激光，假设无阻碍物时，对应的激光接收器向控制装置反馈的激光光强为b0，实际接收的激光光强为b0’；若b0’＜b0，则存在残胶；
s21、激光发生器的功率从a0分段提高至a1，每功率段的功率为：an=a0+（a1-a0）/n(n=1、2、3、……n)，每功率段的持续时间为t；
s22、在an段内，假设对应无阻碍物接收的激光光强为bn，实际接收的激光光强bn’，
若bn’=bn，则残胶清除，控制装置关闭激光发生器；
若bn’＜bn，则存在残胶，激光发生器的功率调整至a(n+1)；
s23、重复步骤s22至a(n+1)=a1，假设无阻碍物时，对应的激光接收器向控制装置反馈的激光的光强为b1，实际接收的激光的光强为b1’；若b1’＜b0，则存在残胶；
s3、控制装置持续激光发生器的功率为a1，至b1’=b0，则残胶清除；
s4、控制装置关闭激光发生器，即功率为0。
清除该坐标的残胶后，控制装置驱动平面定位装置将激光发生器和激光接收器移至下一坐标，至所有的残胶清除完。
实际使用时，各阶段的光强和功率根据使用需求调整。
以上显示和描述了本高新技术的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，上述实施例不以任何形式限制本高新技术，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本高新技术的保护范围内。
技术特征：
1.适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，其特征在于，包括用于搁置半导体的框架，激光发生器于框架的顶部悬置，激光接收器于框架的底部与激光发生器对应设置；
所述框架上设有半导体的感应装置，
控制装置根据感应装置的反馈驱动激光发生器的启闭，控制装置根据激光接收器反馈的光强调整激光发生器的功率。
2.根据权利要求1所述的适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，其特征在于，所述激光发生器设有由控制装置驱动的平面定位装置，包括分别由控制装置通过电机驱动的横向x轴和纵向y轴。
3.根据权利要求2所述的适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，其特征在于，所述激光接收器与激光发生器通过连杆固定，同步平面位移。
4.根据权利要求1所述的适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，其特征在于，所述感应装置包括红外感应装置或压敏装置。
5.根据权利要求1所述的适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，其特征在于，所述框架上设有若干半导体的限位块。
6.根据权利要求1所述的适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，其特征在于，还包括残胶检测装置，包括设于框架底部的摄像头和控制装置内的图文比对模块；
所述图文比对模块内有由摄像头拍摄的标准半导体的标准图片；
所述摄像头将拍摄的框架上的待检半导体的待检图片反馈给图文比对模块，图文比对模块将比较的标准图片和待检图片之间的差异反馈至控制装置；
控制装置根据差异，驱动平面定位装置和激光发生器清除残胶。
7.根据权利要求6所述的适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，其特征在于，所述残胶检测装置由控制装置根据感应装置的反馈启闭。
技术总结
适用于框架式半导体的塑封残胶去除装置，包括用于搁置半导体的框架，激光发生器于框架的顶部悬置，激光接收器于框架的底部与激光发生器对应设置；框架上设有半导体的感应装置，控制装置根据感应装置的反馈驱动激光发生器的启闭，控制装置根据激光接收器反馈的光强调整激光发生器的功率。其以框架为基架并提供基坐标，通过图文比对模块识别残胶及其位置，通过平面定位装置移动激光发生器，通过激光接收器接收激光的光强于局部判定残胶的清除状态，通过渐变功率的激光发生器有针对性的清除不同薄厚的残胶，起到节能提效的效果。可有效去除连体残胶，去除效果好，效率高，有效提升产品的外观品质，具有很强的实用性和广泛的适用性。
技术开发人、权利持有人：林剑河;景昌忠;王毅
