本高新技术涉及半导体晶圆片表面清洗技术领域，具体来说，涉及一种声波震动半导体晶圆片清洗设备。
背景技术：
晶圆清洗工艺对电子工业，尤其是半导体工业极其重要，在半导体器件和集成电路的制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗，晶圆清洗主要是去除吸附在晶圆表面的各种杂质离子，如微粒、有机物、无机金属离子等，使晶圆的表面洁净度达到一定的工艺要求，随着半导体晶圆工艺的发展，为了满足晶圆电学特性的需求，对清洗后的晶圆洁净度的要求也越来越高。
现在的圆晶制造过程中，圆晶表面会附着各种有机化合物、金属杂质和微粒等，而圆晶表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一，如果不对其清洗会大大降低半导体器件的性能和合格率，所以在半导体器件制造过程中，对圆晶的清洗是很关键的步骤，现有的很多清洗装置的清洗质量不高，清洗效率底下，增大成本。
针对相关技术中的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现要素：
针对相关技术中的问题，本高新技术提出一种声波震动半导体晶圆片清洗设备，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。
本高新技术的技术方案是这样实现的：
一种声波震动半导体晶圆片清洗设备，包括外壳，所述外壳的内部的底端设置有超声波发生器，所述超声波发生器的一侧设置有频率控制器，所述超声波发生器远离所述频率控制器的一侧设置有电机，所述电机输出轴的端部设置有风扇，所述超声波发生器的顶端设置有支撑板一，所述支撑板一的顶端设置有清洗槽。
进一步，所述支撑板一的底端设置有垂直板，所述电机的输出轴贯穿所述垂直板。
进一步，所述外壳的侧面设置有支撑板二，所述支撑板二的顶端设置有储水箱，所述储水箱的顶端设置有吸水管一，所述吸水管一的另一端设置有吸水泵。
进一步，所述吸水泵的另一侧连接有吸水管二，所述吸水管二的另一端设置有出水管，所述吸水泵的底端设置有基座。
进一步，所述外壳的内部设置有凸缘，所述清洗槽设置在凸缘上。
本高新技术的有益效果为：将需要清洗的晶圆片放置到清洗槽的内部，启动吸水泵，吸水泵从储水箱的内部吸水经过水管进入清洗槽的内部，启动声波发生器，声波发生器产生声波传递给清洗槽的内部对晶圆片进行清洗，其中，超声波发生器的顶端设置有支撑板一，所述支撑板一的底端设置有垂直板，所述电机的输出轴贯穿所述垂直板，从而垂直板对电机起到固定的作用，进而有利于电机风扇进行转动，利用风扇对超声波发生器进行降温，外壳的侧面设置有支撑板二，所述支撑板二的顶端设置有储水箱，所述储水箱的顶端设置有吸水管一，所述吸水管一的另一端设置有吸水泵，通过吸水泵将储水箱内部的水吸入清洗槽中对晶圆片进行清洗，吸水泵的另一侧连接有吸水管二，所述吸水管二的另一端设置有出水管，所述吸水泵的底端设置有基座，外壳的内部设置有凸缘，所述清洗槽设置在凸缘上，从而凸缘对清洗槽起到支撑作用，防止清洗槽在外壳内部产生滑动，利用超声波发生器产生超声波，再将超声波产生的震动由清洗液产生细小的气泡，细小的气泡附着在晶圆片的表面，利用震动产生的微小气泡将晶圆片表面的污物颗粒带走，使晶圆片表面更加清洁。利用风扇对超声波发生设备进行降温，及时的将超声波发生设备产生的热量排出箱体的外部，防止了超声波发生器由于高温发生烧坏。
附图说明
为了更清楚地说明本高新技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本高新技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本高新技术实施例的立体结构示意图；
图2是根据本高新技术实施例的清洗槽爆炸图。
图中：
1、外壳；2、出水管；3、吸水管二；4、吸水泵；5、吸水管一；6、储水箱；7、支撑板二；8、频率控制器；9、清洗槽；10、支撑板一；11、风扇；12、垂直板；13、超声波发生器；14、基座；15、凸缘；16、电机。
具体实施方式
下面将结合本高新技术实施例中的附图，对本高新技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本高新技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本高新技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本高新技术保护的范围。
根据本高新技术的实施例，提供了一种声波震动半导体晶圆片清洗设备。
如图1-2所示，根据本高新技术实施例的声波震动半导体晶圆片清洗设备，包括外壳1，所述外壳1的内部的底端设置有超声波发生器13，所述超声波发生器13的一侧设置有频率控制器8，所述超声波发生器13远离所述频率控制器8的一侧设置有电机16，所述电机16输出轴的端部设置有风扇11，所述超声波发生器13的顶端设置有支撑板一10，所述支撑板一10的顶端设置有清洗槽9。
在一个实施例中，对于上述超声波发生器13来说，所述支撑板一10的底端设置有垂直板12，所述电机16的输出轴贯穿所述垂直板12，从而垂直板12对电机16起到固定的作用，进而有利于电机16风扇11进行转动，利用风扇11对超声波发生器13进行降温。
在一个实施例中，对于上述外壳1来说，所述外壳1的侧面设置有支撑板二7，所述支撑板二7的顶端设置有储水箱6，所述储水箱6的顶端设置有吸水管一5，所述吸水管一5的另一端设置有吸水泵4，通过吸水泵4将储水箱6内部的水吸入清洗槽9中对晶圆片进行清洗。
在一个实施例中，对于上述吸水泵4来说，所述吸水泵4的另一侧连接有吸水管二3，所述吸水管二3的另一端设置有出水管2，所述吸水泵4的底端设置有基座14。
在一个实施例中，对于上述外壳1来说，所述外壳1的内部设置有凸缘15，所述清洗槽9设置在凸缘15上，从而凸缘15对清洗槽9起到支撑作用，防止清洗槽9在外壳1内部产生滑动。
综上所述，借助于本高新技术的上述技术方案，将需要清洗的晶圆片放置到清洗槽9的内部，启动吸水泵4，吸水泵4从储水箱6的内部吸水经过水管进入清洗槽9的内部，启动声波发生器13，声波发生器13产生声波传递给清洗槽9的内部对晶圆片进行清洗，其中，超声波发生器13的顶端设置有支撑板一10，所述支撑板一10的底端设置有垂直板12，所述电机16的输出轴贯穿所述垂直板12，从而垂直板12对电机16起到固定的作用，进而有利于电机16风扇11进行转动，利用风扇11对超声波发生器13进行降温，外壳1的侧面设置有支撑板二7，所述支撑板二7的顶端设置有储水箱6，所述储水箱6的顶端设置有吸水管一5，所述吸水管一5的另一端设置有吸水泵4，通过吸水泵4将储水箱6内部的水吸入清洗槽9中对晶圆片进行清洗，吸水泵4的另一侧连接有吸水管二3，所述吸水管二3的另一端设置有出水管2，所述吸水泵4的底端设置有基座14，外壳1的内部设置有凸缘15，所述清洗槽9设置在凸缘15上，从而凸缘15对清洗槽9起到支撑作用，防止清洗槽9在外壳1内部产生滑动。
有益效果：1、利用超声波发生器产生超声波，再将超声波产生的震动由清洗液产生细小的气泡，细小的气泡附着在晶圆片的表面，利用震动产生的微小气泡将晶圆片表面的污物颗粒带走，使晶圆片表面更加清洁。
2、利用风扇对超声波发生设备进行降温，及时的将超声波发生设备产生的热量排出箱体的外部，防止了超声波发生器由于高温发生烧坏。
以上所述仅为本高新技术的较佳实施例而已，并不用以限制本高新技术，凡在本高新技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本高新技术的保护范围之内。
技术特征：
1.一种声波震动半导体晶圆片清洗设备，包括：外壳(1)，其特征在于，所述外壳(1)的内部的底端设置有超声波发生器(13)，所述超声波发生器(13)的一侧设置有频率控制器(8)，所述超声波发生器(13)远离所述频率控制器(8)的一侧设置有电机(16)，所述电机(16)输出轴的端部设置有风扇(11)，所述超声波发生器(13)的顶端设置有支撑板一(10)，所述支撑板一(10)的顶端设置有清洗槽(9)。
2.根据权利要求1所述的一种声波震动半导体晶圆片清洗设备，其特征在于，所述支撑板一(10)的底端设置有垂直板(12)，所述电机(16)的输出轴贯穿所述垂直板(12)。
3.根据权利要求1所述的一种声波震动半导体晶圆片清洗设备，其特征在于，所述外壳(1)的侧面设置有支撑板二(7)，所述支撑板二(7)的顶端设置有储水箱(6)，所述储水箱(6)的顶端设置有吸水管一(5)，所述吸水管一(5)的另一端设置有吸水泵(4)。
4.根据权利要求3所述的一种声波震动半导体晶圆片清洗设备，其特征在于，所述吸水泵(4)的另一侧连接有吸水管二(3)，所述吸水管二(3)的另一端设置有出水管(2)，所述吸水泵(4)的底端设置有基座(14)。
5.根据权利要求1所述的一种声波震动半导体晶圆片清洗设备，其特征在于，所述外壳(1)的内部设置有凸缘(15)，所述清洗槽(9)设置在凸缘(15)上。
技术总结
本高新技术公开了一种声波震动半导体晶圆片清洗设备，涉及到半导体晶圆片表面清洗技术领域。包括外壳，所述外壳的内部的底端设置有超声波发生器，所述超声波发生器的一侧设置有频率控制器，所述超声波发生器远离所述频率控制器的一侧设置有电机，所述电机输出轴的端部设置有风扇，所述支撑板一的顶端设置有清洗槽。有益效果：利用超声波发生器产生超声波，再将超声波产生的震动由清洗液产生细小的气泡，细小的气泡附着在晶圆片的表面，利用震动产生的微小气泡将晶圆片表面的污物颗粒带走，使晶圆片表面更加清洁。
技术开发人、权利持有人：刘卫科
