高新声波震动半导体晶圆片清洗设备技术

高新声波震动半导体晶圆片清洗设备技术

本高新技术涉及半导体晶圆片表面清洗技术领域,具体来说,涉及一种声波震动半导体晶圆片清洗设备。

背景技术:

晶圆清洗工艺对电子工业,尤其是半导体工业极其重要,在半导体器件和集成电路的制造过程中,几乎每道工序都涉及到清洗,晶圆清洗主要是去除吸附在晶圆表面的各种杂质离子,如微粒、有机物、无机金属离子等,使晶圆的表面洁净度达到一定的工艺要求,随着半导体晶圆工艺的发展,为了满足晶圆电学特性的需求,对清洗后的晶圆洁净度的要求也越来越高。

现在的圆晶制造过程中,圆晶表面会附着各种有机化合物、金属杂质和微粒等,而圆晶表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一,如果不对其清洗会大大降低半导体器件的性能和合格率,所以在半导体器件制造过程中,对圆晶的清洗是很关键的步骤,现有的很多清洗装置的清洗质量不高,清洗效率底下,增大成本。

针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。

技术实现要素:

针对相关技术中的问题,本高新技术提出一种声波震动半导体晶圆片清洗设备,以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

本高新技术的技术方案是这样实现的:

一种声波震动半导体晶圆片清洗设备,包括外壳,所述外壳的内部的底端设置有超声波发生器,所述超声波发生器的一侧设置有频率控制器,所述超声波发生器远离所述频率控制器的一侧设置有电机,所述电机输出轴的端部设置有风扇,所述超声波发生器的顶端设置有支撑板一,所述支撑板一的顶端设置有清洗槽。

进一步,所述支撑板一的底端设置有垂直板,所述电机的输出轴贯穿所述垂直板。

进一步,所述外壳的侧面设置有支撑板二,所述支撑板二的顶端设置有储水箱,所述储水箱的顶端设置有吸水管一,所述吸水管一的另一端设置有吸水泵。

进一步,所述吸水泵的另一侧连接有吸水管二,所述吸水管二的另一端设置有出水管,所述吸水泵的底端设置有基座。

进一步,所述外壳的内部设置有凸缘,所述清洗槽设置在凸缘上。

本高新技术的有益效果为:将需要清洗的晶圆片放置到清洗槽的内部,启动吸水泵,吸水泵从储水箱的内部吸水经过水管进入清洗槽的内部,启动声波发生器,声波发生器产生声波传递给清洗槽的内部对晶圆片进行清洗,其中,超声波发生器的顶端设置有支撑板一,所述支撑板一的底端设置有垂直板,所述电机的输出轴贯穿所述垂直板,从而垂直板对电机起到固定的作用,进而有利于电机风扇进行转动,利用风扇对超声波发生器进行降温,外壳的侧面设置有支撑板二,所述支撑板二的顶端设置有储水箱,所述储水箱的顶端设置有吸水管一,所述吸水管一的另一端设置有吸水泵,通过吸水泵将储水箱内部的水吸入清洗槽中对晶圆片进行清洗,吸水泵的另一侧连接有吸水管二,所述吸水管二的另一端设置有出水管,所述吸水泵的底端设置有基座,外壳的内部设置有凸缘,所述清洗槽设置在凸缘上,从而凸缘对清洗槽起到支撑作用,防止清洗槽在外壳内部产生滑动,利用超声波发生器产生超声波,再将超声波产生的震动由清洗液产生细小的气泡,细小的气泡附着在晶圆片的表面,利用震动产生的微小气泡将晶圆片表面的污物颗粒带走,使晶圆片表面更加清洁。利用风扇对超声波发生设备进行降温,及时的将超声波发生设备产生的热量排出箱体的外部,防止了超声波发生器由于高温发生烧坏。

附图说明

为了更清楚地说明本高新技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本高新技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是根据本高新技术实施例的立体结构示意图;

图2是根据本高新技术实施例的清洗槽爆炸图。

图中:

1、外壳;2、出水管;3、吸水管二;4、吸水泵;5、吸水管一;6、储水箱;7、支撑板二;8、频率控制器;9、清洗槽;10、支撑板一;11、风扇;12、垂直板;13、超声波发生器;14、基座;15、凸缘;16、电机。

具体实施方式

下面将结合本高新技术实施例中的附图,对本高新技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本高新技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本高新技术中的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本高新技术保护的范围。

根据本高新技术的实施例,提供了一种声波震动半导体晶圆片清洗设备。

如图1-2所示,根据本高新技术实施例的声波震动半导体晶圆片清洗设备,包括外壳1,所述外壳1的内部的底端设置有超声波发生器13,所述超声波发生器13的一侧设置有频率控制器8,所述超声波发生器13远离所述频率控制器8的一侧设置有电机16,所述电机16输出轴的端部设置有风扇11,所述超声波发生器13的顶端设置有支撑板一10,所述支撑板一10的顶端设置有清洗槽9。

在一个实施例中,对于上述超声波发生器13来说,所述支撑板一10的底端设置有垂直板12,所述电机16的输出轴贯穿所述垂直板12,从而垂直板12对电机16起到固定的作用,进而有利于电机16风扇11进行转动,利用风扇11对超声波发生器13进行降温。

在一个实施例中,对于上述外壳1来说,所述外壳1的侧面设置有支撑板二7,所述支撑板二7的顶端设置有储水箱6,所述储水箱6的顶端设置有吸水管一5,所述吸水管一5的另一端设置有吸水泵4,通过吸水泵4将储水箱6内部的水吸入清洗槽9中对晶圆片进行清洗。

在一个实施例中,对于上述吸水泵4来说,所述吸水泵4的另一侧连接有吸水管二3,所述吸水管二3的另一端设置有出水管2,所述吸水泵4的底端设置有基座14。

在一个实施例中,对于上述外壳1来说,所述外壳1的内部设置有凸缘15,所述清洗槽9设置在凸缘15上,从而凸缘15对清洗槽9起到支撑作用,防止清洗槽9在外壳1内部产生滑动。

综上所述,借助于本高新技术的上述技术方案,将需要清洗的晶圆片放置到清洗槽9的内部,启动吸水泵4,吸水泵4从储水箱6的内部吸水经过水管进入清洗槽9的内部,启动声波发生器13,声波发生器13产生声波传递给清洗槽9的内部对晶圆片进行清洗,其中,超声波发生器13的顶端设置有支撑板一10,所述支撑板一10的底端设置有垂直板12,所述电机16的输出轴贯穿所述垂直板12,从而垂直板12对电机16起到固定的作用,进而有利于电机16风扇11进行转动,利用风扇11对超声波发生器13进行降温,外壳1的侧面设置有支撑板二7,所述支撑板二7的顶端设置有储水箱6,所述储水箱6的顶端设置有吸水管一5,所述吸水管一5的另一端设置有吸水泵4,通过吸水泵4将储水箱6内部的水吸入清洗槽9中对晶圆片进行清洗,吸水泵4的另一侧连接有吸水管二3,所述吸水管二3的另一端设置有出水管2,所述吸水泵4的底端设置有基座14,外壳1的内部设置有凸缘15,所述清洗槽9设置在凸缘15上,从而凸缘15对清洗槽9起到支撑作用,防止清洗槽9在外壳1内部产生滑动。

有益效果:1、利用超声波发生器产生超声波,再将超声波产生的震动由清洗液产生细小的气泡,细小的气泡附着在晶圆片的表面,利用震动产生的微小气泡将晶圆片表面的污物颗粒带走,使晶圆片表面更加清洁。

2、利用风扇对超声波发生设备进行降温,及时的将超声波发生设备产生的热量排出箱体的外部,防止了超声波发生器由于高温发生烧坏。

以上所述仅为本高新技术的较佳实施例而已,并不用以限制本高新技术,凡在本高新技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本高新技术的保护范围之内。

技术特征:

1.一种声波震动半导体晶圆片清洗设备,包括:外壳(1),其特征在于,所述外壳(1)的内部的底端设置有超声波发生器(13),所述超声波发生器(13)的一侧设置有频率控制器(8),所述超声波发生器(13)远离所述频率控制器(8)的一侧设置有电机(16),所述电机(16)输出轴的端部设置有风扇(11),所述超声波发生器(13)的顶端设置有支撑板一(10),所述支撑板一(10)的顶端设置有清洗槽(9)。

2.根据权利要求1所述的一种声波震动半导体晶圆片清洗设备,其特征在于,所述支撑板一(10)的底端设置有垂直板(12),所述电机(16)的输出轴贯穿所述垂直板(12)。

3.根据权利要求1所述的一种声波震动半导体晶圆片清洗设备,其特征在于,所述外壳(1)的侧面设置有支撑板二(7),所述支撑板二(7)的顶端设置有储水箱(6),所述储水箱(6)的顶端设置有吸水管一(5),所述吸水管一(5)的另一端设置有吸水泵(4)。

4.根据权利要求3所述的一种声波震动半导体晶圆片清洗设备,其特征在于,所述吸水泵(4)的另一侧连接有吸水管二(3),所述吸水管二(3)的另一端设置有出水管(2),所述吸水泵(4)的底端设置有基座(14)。

5.根据权利要求1所述的一种声波震动半导体晶圆片清洗设备,其特征在于,所述外壳(1)的内部设置有凸缘(15),所述清洗槽(9)设置在凸缘(15)上。

技术总结
本高新技术公开了一种声波震动半导体晶圆片清洗设备,涉及到半导体晶圆片表面清洗技术领域。包括外壳,所述外壳的内部的底端设置有超声波发生器,所述超声波发生器的一侧设置有频率控制器,所述超声波发生器远离所述频率控制器的一侧设置有电机,所述电机输出轴的端部设置有风扇,所述支撑板一的顶端设置有清洗槽。有益效果:利用超声波发生器产生超声波,再将超声波产生的震动由清洗液产生细小的气泡,细小的气泡附着在晶圆片的表面,利用震动产生的微小气泡将晶圆片表面的污物颗粒带走,使晶圆片表面更加清洁。

技术开发人、权利持有人:刘卫科

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